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5.1. Cyclone® V器件中每个封装的I/O资源
5.2. Cyclone® V器件的I/O纵向移植
5.3. Cyclone® V器件中的I/O标准支持
5.4. Cyclone® V器件的I/O设计指南
5.5. Cyclone® V器件中I/O Bank的位置
5.6. Cyclone® V器件中的I/O Bank组
5.7. Cyclone® V器件中的I/O单元结构
5.8. Cyclone® V器件中的可编程IOE特性
5.9. Cyclone® V器件中的片上I/O匹配
5.10. Cyclone® V器件的外部I/O匹配
5.11. 专用高速电路
5.12. Cyclone® V器件中的差分发送器
5.13. Cyclone® V器件中的差分接收器
5.14. 源同步时序预算
5.15. Cyclone® V器件中的I/O特性修订历史
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2.2.3.1. 相同端口Read-During-Write模式
相同端口Read-During-Write模式适用于单端口RAM或者真双端口RAM的同一端口。
输出模式 | 存储器类型 | 说明 |
---|---|---|
"new data" (直通) |
M10K | 新数据出现在写入此新数据的时钟周期的上升沿。 |
"don't care" | M10K, MLAB | RAM在read-during-write操作下输出"don't care"值。 |
图 11. 相同端口Read-During-Write:New Data模式下图显示 “new data”模式中相同端口read- during- write行为的采样功能波形。