Cyclone V器件手册: 第一卷:器件接口和集成

ID 683375
日期 7/24/2020
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2.2.3.2. 混合端口Read-During-Write模式

混合端口read-during-write模式应用于简单和真双端口RAM模式,其中两个端口使用相同时钟在同一存储器地址执行读写操作(即,一个端口从该地址读取数据,另一个端口则对该地址写入数据)。

表 3.  混合端口Read-During-Write模式中的RAM输出模式
输出模式 存储器类型 说明
"new data" MLAB

对不同端口的read-during-write操作会导致MLAB寄存器输出端显示数据写入MLAB存储器后,下一个时钟上升沿上的“new data”。

仅当输出被寄存时才可使用此模式。

"old data" M10K, MLAB

不同端口的read-during-write操作会导致RAM输出端显示相应地址上的“old data”值。

对于MLAB,仅当输出被寄存时才可使用此模式。

"don't care" M10K, MLAB

RAM输出“don’t care”或者“unknown”值。

  • 对于 M10K存储器, Intel® Quartus® Prime软件不分析读写操作之间的时序。
  • MLAB中,默认情况下 Intel® Quartus® Prime软件分析读写操作之间的时序。要禁用此行为,需要开启Do not analyze the timing between write and read operation. Metastability issues are prevented by never writing and reading at the same address at the same time选项。
“constrained don't care" MLAB

RAM输出“don’t care”或“unknown”值。 Intel® Quartus® Prime软件分析MLAB中读写操作之间的时序。

图 12. 混合端口Read-During-Write:New Data模式下图显示 “new data” 模式的混合端口read- during-write行为的采样功能波形。


图 13. 混合端口Read-During-Write: Old Data模式下图显示 “old data” 模式的混合端口read- during-write行为的采样功能波形。


图 14. 混合端口Read-During-Write:Don’t Care或Constrained Don’t Care模式下图显示 “don’t care”或“constrained don’t care”模式的混合端口read-during-write行为的采样功能波形。


在双端口RAM模式中,如果输入寄存器具有相同时钟,则支持混合端口read-during-write操作。此操作期间的输出值为“unknown”。