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5.1. Cyclone® V器件中每个封装的I/O资源
5.2. Cyclone® V器件的I/O纵向移植
5.3. Cyclone® V器件中的I/O标准支持
5.4. Cyclone® V器件的I/O设计指南
5.5. Cyclone® V器件中I/O Bank的位置
5.6. Cyclone® V器件中的I/O Bank组
5.7. Cyclone® V器件中的I/O单元结构
5.8. Cyclone® V器件中的可编程IOE特性
5.9. Cyclone® V器件中的片上I/O匹配
5.10. Cyclone® V器件的外部I/O匹配
5.11. 专用高速电路
5.12. Cyclone® V器件中的差分发送器
5.13. Cyclone® V器件中的差分接收器
5.14. 源同步时序预算
5.15. Cyclone® V器件中的I/O特性修订历史
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5.8.1. 可编程电流强度
使用可编程电流强度减缓远距离传输线路或传统背板造成的高信号衰减影响。
I/O标准 | IOH / IOL电流强度设置(mA) (粗体表示默认设置) |
HPS中是否支持 (仅SoC器件) |
---|---|---|
3.3 V LVTTL | 16, 8, 4 | Yes (16 mA除外) |
3.3 V LVCMOS | 2 | Yes |
3.0 V LVTTL | 16, 12, 8, 4 | Yes |
3.0 V LVCMOS | 16, 12, 8, 4 | Yes |
2.5 V LVCMOS | 16, 12, 8, 4 | Yes |
1.8 V LVCMOS | 12, 10, 8, 6, 4, 2 | Yes |
1.5 V LVCMOS | 12, 10, 8, 6, 4, 2 | Yes |
1.2 V LVCMOS | 8, 6, 4, 2 | — |
SSTL-2 Class I | 12, 10, 8 | — |
SSTL-2 Class II | 16 | — |
SSTL-18 Class I | 12, 10, 8, 6, 4 | Yes |
SSTL-18 Class II | 16 | Yes |
SSTL-15 Class I | 12, 10, 8, 6, 4 | Yes |
SSTL-15 Class II | 16 | Yes |
1.8 V HSTL Class I | 12, 10, 8, 6, 4 | — |
1.8 V HSTL Class II | 16 | — |
1.5 V HSTL Class I | 12, 10, 8, 6, 4 | Yes |
1.5 V HSTL Class II | 16 | Yes |
1.2 V HSTL Class I | 12, 10, 8, 6, 4 | — |
1.2 V HSTL Class II | 16 | — |
注: Intel建议执行IBIS或者SPICE仿真来确定特定应用的最佳电流强度设置。