Cyclone V器件手册: 第一卷:器件接口和集成

ID 683375
日期 7/24/2020
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6.4.5.3. DQS后同步码电路

DDR3和DDR2 SDRAM中的读写操作都具有前导码和后同步码指标。DQS处于后同步状态时,如果读操作的最后阶段期间DQS线上出现噪声,则DQS后同步码电路将确保不会丢失数据。

Cyclone® V器件包含专用后同步码寄存器,可控制这些寄存器在读操作最后阶段中对DQ输入寄存器提供时钟的移位DQS信号接地。该功能可确保读操作结束期间以及在DQS处于后同步码状态时,DQS输入信号上出现的任何毛刺都不会影响DQ IOE寄存器。

  • 前同步码状态中,DQS处于低电平,并且刚好在高阻抗状态之后。
  • 后同步码状态中,DQS处于低电平,并且刚好在返回高阻抗状态之前。

对于使用双向读选通(DDR3和DDR2 SDRAM)的外部存储器接口,DQS信号在进入或离开高阻抗状态之前处于低电平。