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8.2. Arria® 10缓解技术
Arria® 10器件提供各种单粒子翻转(SEU)缓解方法,以适用于不同的应用领域。
领域 | SEU缓解方法 |
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硅芯片设计: CRAM/SRAM/触发器 | Intel使用各种设计技术来降低翻转和/或限制可纠正的双比特错误。 |
错误检测循环冗余检验(EDCRC) / Scrubbing | 您可以使能EDCRC功能来检测CRAM SEU事件和CRAM内容的自动纠正。 |
M20K SRAM模块 | Intel实现了交互的,特殊布局技术和纠错码(Error Correction Code,ECC)以SEU FIT率降低至近乎于零。 |
敏感度处理(Sensitivity processing) | 您可以使用敏感度处理特性来识别CRAM比特中的SEU是否是一个使用过的或未使用的比特。 |
故障注入(Fault injection) | 您可以使用故障注入特性通过改变CRAM状态来触发一个错误来验证对SEU事件的系统响应。 |
分级标示(Hierarchical tagging) | 敏感度处理和故障注入特性的一个补充性能,用于报告SEU和限制对设计逻辑具体部分的注入。 |
三模冗余(Triple Modular Redundancy (TMR)) | 您可以在诸如状态机的关键逻辑上实现TMR技术。 |