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10.4.2.1.2. 当MD[1:0]不等于2'b11时,在内核访问模式中访问电压传感器
下面的时序结构图显示了当MD [1:0]不等于2'b11时,IP内核在内核访问模式中访问电压传感器的要求。
图 181. MD [1:0]不等于2'b11时的时序结构图
- corectl信号的低到高跳变使能内核访问模式。
至少等待两个时钟脉冲,然后继续步骤2。
- 置低reset信号将电压传感器从复位状态释放。
至少等待两个时钟脉冲,然后继续步骤3。
- 通过写入配置寄存器以及置位coreconfig信号8个时钟周期而配置电压传感器。内核访问模式的配置寄存器是8位宽,并且配置数据被串行地移入配置寄存器。
- coreconfig信号变低表示根据配置寄存器中定义的配置的转换的开始。
- 轮询eoc和eos状态信号来检查MD[1:0]定义的第一个通道的转换是否完成。在eoc信号的下降沿锁存dataout[5:0]信号的输出数据。
- 轮询eoc和eos状态信号来检查MD[1:0]定义的接下来的通道的转换是否完成。在 eoc信号的下降沿锁存dataout[5:0]信号的输出数据。
- 重复步骤6直到eos信号被置位,表明MD[1:0]指定的通道的一个周期的转换的完成。
- 当电压传感器完成最后通道的转换时,eoc和eos信号在同一个时钟周期被置位。
- 通过写入配置寄存器而中断电压传感器的操作只能在eos信号的一个周期结束后执行。
- 步骤完成时,如果corectl和reset信号保持不变,那么转换将再次重复同样的步骤,直到corectl为0,并且reset为1。如果要测量其他步骤,那么重复步骤2到步骤7。