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2.2.3.2. 混合端口Read-During-Write模式
混合端口read-during-write模式应用于简单和真双端口RAM模式,其中两个端口使用同一时钟对同一存储器地址执行读写操作,一个端口读数据,一个端口写数据。
输出模式 | 存储器类型 | 说明 |
---|---|---|
"new data" | MLAB | 对不同端口的read-during-write操作会导致MLAB寄存输出在数据被写入到MLAB存储器后的下一个时钟上升沿显示为“new data”。 仅当输出被寄存时才可使用此模式。 |
"old data" | M20K, MLAB | 对不同端口的read-during-write操作会导致RAM输出端在相应地址上显示“old data”值。 对于MLAB,仅当输出被寄存时才可使用此模式。 |
"don't care" | M20K, MLAB | RAM输出“don’t care”或者“unknown”值。
|
"constrained don't care" | MLAB | RAM输出“don’t care”或“unknown”值。 Quartus® Prime软件分析MLAB中的读写操作之间的时序。 |
图 15. 混合端口Read-During-Write: New Data模式此图显示了“new data” 模式的混合端口read- during-write行为的功能波形样例。
图 16. 混合端口Read-During-Write: Old Data模式此图显示了“old data” 模式的混合端口read- during-write行为的功能波形样例。
图 17. 混合端口Read-During-Write: Don’t Care或Constrained Don’t Care模式此图显示了“don’t care”或“constrained don’t care”模式的混合端口read-during-write行为的功能波形样例。
在双端口RAM模式中,如果输入寄存器具有相同时钟,那么就支持混合端口read-during-write操作。