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Ixiasoft
外部温度感应二级管规范
说明 | Min | Typ | Max | 单位 |
---|---|---|---|---|
Ibias,二极管源电流(内核架构,L-Tile,H-Tile,E-Tile和P-Tile TSD) | 10 | — | 170 | μA |
Vbias,跨二极管的电压(内核架构,L-Tile和H-Tile TSD) | 0.35 | — | 0.9 | V |
Vbias ,跨二极管的电压(E-Tile TSD) | 0.56 | — | 0.82 | V |
Vbias ,跨二极管的电压(P-Tile TSD) | 0.56 | — | 0.87 | V |
串行电阻(内核架构TSD) | — | — | < 11 | Ω |
串行电阻(L-Tile和H-Tile TSD) | — | — | < 17 | Ω |
串行电阻(E-Tile TSD) | — | — | < 2 | Ω |
串行电阻(P-Tile TSD) | — | — | < 10 | Ω |
二极管理想因数(内核架构TSD) | — | 1.006 | — | — |
Diode ideality factor (L-Tile and H-Tile TSD) 57 | — | 1.003 | — | — |
二极管理想因数(E-Tile TSD) | — | 1.005 | — | — |
二极管理想因数(P-Tile TSD) 57 | — | 1.0108 | — | — |
57 当使用较低注入电流(两次电流)实现时,理想因数为1.03。