Intel® Stratix® 10 MX (DRAM系统级封装)器件概述

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ID 683149
日期 2/27/2018
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1. Stratix 10 MX (DRAM系统级封装)器件概述
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1.1. Stratix 10 MX器件 1.2. Stratix 10 MX器件的创新 1.3. Stratix 10 MX功能总结 1.4. Stratix 10 MX结构图 1.5. Stratix 10 MX系列计划 1.6. 异构3D堆栈式HBM2 DRAM存储器 1.7. HyperFlex内核体系结构 1.8. 异构3D SiP收发器Tile 1.9. Stratix 10 MX收发器 1.10. PCI Express Gen1/Gen2/Gen3硬核IP 1.11. 100G以太网MAC、Reed-Solomon FEC硬核IP和KP-FEC硬核IP 1.12. 10G以太网硬核IP 1.13. Interlaken PCS硬核IP 1.14. 外部存储器和通用I/O 1.15. 自适应逻辑模块(ALM) 1.16. 内核时钟 1.17. 小数分频综合PLL和I/O PLL 1.18. 内部嵌入式存储器 1.19. 精度可调DSP模块 1.20. 硬核处理器系统(HPS) 1.21. 电源管理 1.22. 器件配置和安全器件管理器(SDM) 1.23. 器件安全 1.24. 使用PCI Express的通过协议配置 1.25. 部分和动态重配置 1.26. 快进编译(Fast Forward Compile) 1.27. 单粒子翻转(SEU)检错和纠错 1.28. 文件修订历史
1.5. Stratix 10 MX系列计划 x
1.5.1. 可用选项
1.9. Stratix 10 MX收发器 x
1.9.1. PMA功能 1.9.2. PCS功能
1.20. 硬核处理器系统(HPS) x
1.20.1. Stratix 10 MX HPS的主要功能：
1. Stratix 10 MX (DRAM系统级封装)器件概述

1.18. 内部嵌入式存储器

Intel® Stratix® 10 MX器件包含三种类型的嵌入式存储器模块：eSRAM (45-Mbit)、M20K (20-Kbit)和MLAB (640-bit)。这种片上存储器的多样性对诸如宽而深的FIFO和可变缓冲器的应用提供了快速访问时间和低延迟。结合HBM2 DRAM堆栈提供的封装级存储器，其内部嵌入式存储器完成Stratix 10 MX器件的存储器层次结构。

eSRAM模块是 Intel® Stratix® 10 MX器件的一项新的创新。这些大型嵌入式SRAM模块紧密地耦合到内核架构，并且能够直接访问，而无需单独的存储控制器。每个eSRAM模块安排成8个通道，每个通道有40个bank，总容量45-Mbit运行在高达750 MHz的时钟速率上。在eSRAM模块内，每个通道含有72位读和72位写的总线宽度，每个通道含有1个READ和1个WRITE。这使每个eSRAM模块可以支持多达864 Gbps的总聚合带宽(读 + 写)。

eSRAM模块实现为一个简单的双端口存储器，每个通道同时有读和写访问权限，并且包括了集成的硬核ECC生成和检查。与片外SRAM解决方案相比，eSRAM模块能够降低系统功耗以及节省电路板空间和成本。

M20K和MLAB模块大小类似于以前的Intel器件系列的模块大小。MLAB模块是宽而浅的存储器的理想选择，而M20K模块旨在支持更大的存储器配置，并包含硬核ECC。M20K和MLAB嵌入式存储器模块都可配置成一个单端口或双端口RAM、FIFO、ROM或移位寄存器。这些存储器模块具有高度灵活性并支持表 10中所示的多种存储器配置。

表 10.  内部嵌入式存储器模块配置

MLAB (640 bits)

M20K (20 Kbits)

64 x 10 (通过仿真支持)

32 x 20

2K x 10 (或 x8)

1K x 20 (或 x16)

512 x 40 (或 x32)

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