Intel® Quartus® Prime Pro Edition用户指南: 设计建议

ID 683082
日期 9/28/2020
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2.4. 实现嵌入式RAM

Intel的专用存储器体系结构提供了很多高级功能,可通过Intel提供的IP core使能这些高级功能。在设计中使用同步存储器模块,以便这些模块可以直接映射到器件专用的存储器模块。

通过单时钟或双时钟方法可以使用单端口,双端口或三端口RAM。您不应将异步存储器逻辑推断为存储器模块或将异步存储器逻辑布局在专用存储器模块中,而应在常规逻辑单元中实现异步存储器逻辑。

Intel存储器模块有不同的read-during-write行为(取决于不同的目标器件系列),存储器模式和模块类型。read-during-write行为是指在同一时钟周期内从同一存储器地址进行读取和写入。例如,从同一时钟周期中写入的地址读取相同的地址。

使用read-during-write行为时,应检查如何在HDL代码中指定存储器。描述读取操作的HDL代码返回存储在存储器位置的旧数据,或者返回写入到存储器位置的新数据。

在某些情况下,当器件体系结构不能实现HDL代码中描述的存储器行为时,存储器模块不会映射到专用RAM模块,或者存储器模块是使用专用RAM模块之外的其他逻辑来实现的。使用Arria GX器件以及Cyclone和Stratix系列器件中的单端口RAM来实现read-during-write行为,以避免这种额外的逻辑实现。

在很多综合工具中,您可以指定read-during-write行为对您的设计并不重要;例如,如果您从未在同一时钟周期从同一地址进行读取和写入操作。