Intel® Cyclone® 10 LP器件数据手册

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ID 683251
日期 5/08/2017
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Cyclone® 10 LP器件数据表
Cyclone® 10 LP器件数据表 x
操作条件 功耗 开关特性 I/O时序 术语表 文档修订历史
操作条件 x
绝对最大额定值 所允许的最大过冲或下冲电压 建议的操作条件 ESD性能 DC特性 I/O标准规范
DC特性 x
电源电流 总线保持 OCT规范 最终OCT电阻公式 阻抗变化实例 管脚电容 内部弱上拉和弱下拉电阻 热插拔 Schmitt触发器输入
I/O标准规范 x
单端I/O标准规范 单端SSTL和HSTL I/O参考电压规范 单端SSTL和HSTL I/O标准信号规范 差分SSTL I/O标准规范 差分HSTL I/O标准规范 差分I/O标准规范
开关特性 x
内核性能规范 外设性能
内核性能规范 x
时钟树规范 PLL规范 嵌入式乘法器规范 存储器模块规范 配置和JTAG规范
外设性能 x
高速I/O规范 占空比失真规范 OCT校准时序规范 IOE可编程延迟
高速I/O规范 x
RSDS发送器时序规范 仿真RSDS_E_1R发送器时序规范 Mini-LVDS发送器时序规范 真LVDS发送器时序规范 仿真LVDS发送器时序规范 LVDS接收器时序规范
Cyclone® 10 LP器件数据表

OCT规范

表 7.   Cyclone® 10 LP器件处理，温度，和电压（PVT）规范中无校准的串行OCT
说明 VCCIO (V) 电阻容限 单位
商用最大值 工业，扩展工业和汽车业最大值
无校准的串行OCT 3.0 ±30 ±40 %
2.5 ±30 ±40 %
1.8 ±40 ±50 %
1.5 ±50 ±50 %
1.2 ±50 ±50 %
表 8.   Cyclone® 10 LP器件上电规范中带校准的串行OCT已使能I/O在器件上电时自动执行OCT校准。
说明 VCCIO (V) 校准精度 单位
商用最大值 工业，扩展工业和汽车业最大值
器件上电时带有校准的串行OCT 3.0 ±10 ±10 %
2.5 ±10 ±10 %
1.8 ±10 ±10 %
1.5 ±10 ±10 %
1.2 ±10 ±10 %
表 9.   Cyclone® 10 LP器件上电时进行校准后OCT的电压和温度变化

使用下表，并参考器件上电时进行校准后的变化，确定OCT的最终阻值。
额定电压 dR/dT（%/°C） dR/dV（%/mV）
3.0 0.262 –0.026
2.5 0.234 –0.039
1.8 0.219 –0.086
1.5 0.199 –0.136
1.2 0.161 –0.288

最终OCT电阻公式

ΔRV = (V2 – V1) × 1000 × dR/dV 5 6 7 8

ΔRT = (T2 – T1) × dR/dT 9 10 11 12

ΔRx < 0时；MFx = 1/ (|ΔRx|/100 + 1) 13 14

ΔRx > 0时；MFx = ΔRx/100 + 1 13 14

MF = MFV × MFT 14

Rfinal = Rinitial × MF 14 15 16

阻抗变化实例

计算从25°C@3.0 V到85°C@3.15 V的50-Ω I/O阻抗的变化，具体如下：

ΔRV = (3.15 – 3) × 1000 × –0.026 = –3.83

ΔRT = (85 – 25) × 0.262 = 15.72

ΔRV为负数，

则MFV = 1 / (3.83/100 + 1) = 0.963

ΔRT为正数，

则MFT = 15.72/100 + 1 = 1.157

MF = 0.963 × 1.157 = 1.114

Rfinal = 50 × 1.114 = 55.71 Ω

5 ΔRV是随电压的电阻变化。
6 V2为最终电压。
7 V1是初始电压。
8 dR/dV是器件上电时在校准后随电压产生的电阻变化的百分比。
9 ΔRT是随温度的电阻变化。
10 T2为最终温度。
11 T1是初始温度。
12 dR/dT是器件上电时在校准后随温度产生的电阻变化的百分比。
13 下标x与V和T有关。
14 MF为倍频因子。
15 Rfinal是最终电阻。
16 Rinitial初始电阻。
二级标题