Intel® Cyclone® 10 LP器件数据手册

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ID 683251
日期 5/08/2017
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Cyclone® 10 LP器件数据表
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操作条件 功耗 开关特性 I/O时序 术语表 文档修订历史
操作条件 x
绝对最大额定值 所允许的最大过冲或下冲电压 建议的操作条件 ESD性能 DC特性 I/O标准规范
DC特性 x
电源电流 总线保持 OCT规范 管脚电容 内部弱上拉和弱下拉电阻 热插拔 Schmitt触发器输入
I/O标准规范 x
单端I/O标准规范 单端SSTL和HSTL I/O参考电压规范 单端SSTL和HSTL I/O标准信号规范 差分SSTL I/O标准规范 差分HSTL I/O标准规范 差分I/O标准规范
开关特性 x
内核性能规范 外设性能
内核性能规范 x
时钟树规范 PLL规范 嵌入式乘法器规范 存储器模块规范 配置和JTAG规范
外设性能 x
高速I/O规范 占空比失真规范 OCT校准时序规范 IOE可编程延迟
高速I/O规范 x
RSDS发送器时序规范 仿真RSDS_E_1R发送器时序规范 Mini-LVDS发送器时序规范 真LVDS发送器时序规范 仿真LVDS发送器时序规范 LVDS接收器时序规范
Cyclone® 10 LP器件数据表

ESD性能

用于 Cyclone® 10 LP器件通用I/O（GPIO）和高速串行接口（HSSI）I/O的静电放电（ESD）电压采用人体放电模型（HBM）和组件充电模型(CDM) 。
表 4.  用于 Cyclone® 10 LP器件GPIO和HSSI I/O的ESD
符号 说明 通过电压（Passing Voltage） 单位
VESDHBM 使用HBM（GPIOs）的ESD ± 2000 V
VESDCDM 使用CDM（GPIOs）的ESD ± 500 V
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