Intel® Quartus® Prime Standard Edition用户指南: 部分重配置

ID 683499
日期 9/24/2018
Public
文档目录

1.12.4. 实现包含初始化内容的存储器

如果您的Stratix V PR设计使用M20K模块或者LUT-RAM来实现PR区域内的ROM,初始化的RAM或者ROM,那么必须遵循以下设计指南来确定适用于您的情况的项目。

表 7.  在PR设计中实现包含初始化内容的存储器

模式

产品器件

AND/OR

SCRUB

LUT-RAM without initialization

Suggested Method

设计运行时:在部分重配置之前将‘1’写入所有位置

编译时:通过初始化文件(.mif)将每个新角色(persona)中的所有存储器位置都明确地初始化成‘1’。

确保PR入口上没有虚假写入 1

无需特殊方法

Without Suggested Method

CRC Error 无需特殊方法

LUT-RAM with initialization

Suggested Method

不支持

确保PR退出时没有虚假写入1

Without Suggested Method

Incorrect results

M20K without initialization

Suggested Method

无需特殊方法

Without Suggested Method

无需特殊方法

M20K with initialization

Suggested Method

使用双PR周期 2

确保PR退出时没有虚假写入1

无需特殊方法

Without Suggested Method

不正确的结果 无需特殊方法
图 24. M20K/LUTRAM为避免PR进入和退出期间的虚假写入,请在与RAM相同的PR区域中实现以下时钟使能电路。

该电路取决于静态区域的一个高电平有效清零(active-high clear)信号。在进入PR之前,需要以与所有PR输入相同的方式冻结此信号。作为PR进程中的最后一步,主机控制逻辑应该置低清零信号。

1 Use the circuit shown in the 使用M20K/LUTRAM图中所示的电路来创建时钟使能逻辑,以安全地退出部分重配置而不会产生虚假写入。
2 双重部分重配置在Initializing M20K Blocks with a Double PR Cycle中有所描述。