仅对英特尔可见 — GUID: mwh1409958590254
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1.12.4. 实现包含初始化内容的存储器
如果您的Stratix V PR设计使用M20K模块或者LUT-RAM来实现PR区域内的ROM,初始化的RAM或者ROM,那么必须遵循以下设计指南来确定适用于您的情况的项目。
模式 |
产品器件 |
||
---|---|---|---|
AND/OR |
SCRUB |
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LUT-RAM without initialization |
Suggested Method |
设计运行时:在部分重配置之前将‘1’写入所有位置 编译时:通过初始化文件(.mif)将每个新角色(persona)中的所有存储器位置都明确地初始化成‘1’。 确保PR入口上没有虚假写入 1 |
无需特殊方法 |
Without Suggested Method |
CRC Error | 无需特殊方法 | |
LUT-RAM with initialization |
Suggested Method |
不支持 | 确保PR退出时没有虚假写入1 |
Without Suggested Method |
Incorrect results |
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M20K without initialization |
Suggested Method |
无需特殊方法 | |
Without Suggested Method |
无需特殊方法 | ||
M20K with initialization |
Suggested Method |
使用双PR周期 2 确保PR退出时没有虚假写入1 |
无需特殊方法 |
Without Suggested Method |
不正确的结果 | 无需特殊方法 |
该电路取决于静态区域的一个高电平有效清零(active-high clear)信号。在进入PR之前,需要以与所有PR输入相同的方式冻结此信号。作为PR进程中的最后一步,主机控制逻辑应该置低清零信号。