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建议的操作条件
符号 | 说明 | 条件 | 最小值 3 | 典型值 | 最大值 3 | 单位 |
---|---|---|---|---|---|---|
VCC | 核心电压电源 | 标准和低功耗 4 | 0.87 | 0.9 | 0.93 | V |
0.92 | 0.95 | 0.98 | V | |||
SmartVID 5 | 0.82 | — | 0.93 | V | ||
VCCP | 外围电路和收发器光纤接口电源 | 标准和低功耗 4 | 0.87 | 0.9 | 0.93 | V |
0.92 | 0.95 | 0.98 | V | |||
SmartVID 5 | 0.82 | — | 0.93 | V | ||
VCCPGM | 配置管脚电源 | 1.8 V | 1.71 | 1.8 | 1.89 | V |
1.5 V | 1.425 | 1.5 | 1.575 | V | ||
1.2 V | 1.14 | 1.2 | 1.26 | V | ||
VCCERAM | 嵌入式存储器电源 | 0.9 V 4 | 0.87 | 0.9 | 0.93 | V |
0.95 V 4 | 0.92 | 0.95 | 0.98 | V | ||
VCCBAT 6 | 电池后备电源 (用于设计安全易失性密钥寄存器) | — | 1.14 | — | 1.89 | V |
VCCPT | 可编程功耗技术和I/O预驱动器的电源 | 1.8 V | 1.71 | 1.8 | 1.89 | V |
VCCIO | I/O缓冲器电源 | 3.0 V (仅用于3 V I/O) | 2.85 | 3.0 | 3.15 | V |
2.5 V (仅用于3 V I/O) | 2.375 | 2.5 | 2.625 | V | ||
1.8 V | 1.71 | 1.8 | 1.89 | V | ||
1.5 V | 1.425 | 1.5 | 1.575 | V | ||
1.35 V | 7 | 1.35 | 7 | V | ||
1.25 V | 1.19 | 1.25 | 1.31 | V | ||
1.2 V | 7 | 1.2 | 7 | V | ||
VCCA_PLL | PLL模拟电压调节器电源 | — | 1.71 | 1.8 | 1.89 | V |
VREFP_ADC | 电压传感器的精确电压参考 | — | 1.2475 | 1.25 | 1.2525 | V |
VI 8 | DC输入电压 | 3 V I/O | –0.3 | — | 3.3 | V |
LVDS I/O | –0.3 | — | 2.19 | V | ||
VO | 输出电压 | — | 0 | — | VCCIO | V |
TJ | 操作结温 | 扩展 | 0 | — | 100 | °C |
工业 | -40 | — | 100 | °C | ||
tRAMP 9 10 | 电源斜坡时间 | 标准POR | 200 µs | — | 100 ms | — |
快速POR | 200 µs | — | 4 ms | — |
相关信息
3 此值描述了DC(静态)电源容限的预算,不包括动态容限要求。关于动态容限要求的额外预算,请参考PDN工具。
4 您可以在0.9 V或0.95 V典型值上运行–1和–2速度等级器件。只能在0.9 V典型值上运行–3速度等级器件。此数据表中显示的内核性能适用于0.9 V上的操作。0.95 V上的操作会产生更高的内核性能和更高的功耗。关于不同的典型值,请参考本数据表中的内核性能。关于不同典型值的功耗信息,请参考 Quartus® Prime软件,Power Analyzer报告和Early Power Estimator (EPE)。
5 只有在–2V和–3V速度等级的器件中支持SmartVID。
6 如果不使用 Arria® 10器件中的设计安全特性,那么将VCCBAT连接到一个1.5-V到1.8-V电源。 Arria® 10上电复位(POR)电路监控VCCBAT。如果VCCBAT没有上电,那么 Arria® 10器件不会退出POR。
7 关于最小和最大电压值,请参考I/O标准规范部分。
8 LVDS I/O值应用于所有专用和双功能配置I/O。
9 这也应用于HPS电源。 关于HPS电源,请参考tRAMP规范来了解当HPS_PORSEL = 0时的标准POR,参考tRAMP规范来了解当HPS_PORSEL = 1时的快速POR。
10 tramp是每个单独电源的斜坡时间(ramp time),而不是所有组合电源的斜坡时间。