Intel® Arria® 10器件数据表

ID 683771
日期 5/08/2017
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NAND时序特征

表 74.   Arria® 10器件的NAND ONFI 1.0时序要求
符号 说明 最小值 最大值 单位
tWP 109 写使能脉冲宽度 10 ns
tWH 109 写使能保持时间 7 ns
tRP 109 读使能脉冲宽度 10 ns
tREH 109 读使能保持时间 7 ns
tCLS 109 命令锁存使能到写使能建立时间 10 ns
tCLH 109 命令锁存使能到写使能保持时间 5 ns
tCS 109 芯片使能到写使能建立时间 15 ns
tCH 109 芯片使能到写使能保持时间 5 ns
tALS 109 地址锁存使能到写使能建立时间 10 ns
tALH 109 地址锁存使能到写使能保持时间 5 ns
tDS 109 数据到写使能建立时间 7 ns
tDH 109 数据到写使能保持时间 5 ns
tCEA 芯片使能到数据存取时间 100 ns
tREA 读使能到数据存取时间 40 ns
tRHZ 读使能到数据高阻抗 200 ns
tRR 准备就绪到读使能低 20 ns
tWB 109 写使能高到R/B低 200 ns
图 18. NAND命令锁存时序图
图 19. NAND地址锁存时序图
图 20. NAND数据输出周期时序图
图 21. NAND数据输入周期时序图
图 22.  扩展数据输出(EDO)周期的NAND数据输入时序图
图 23. NAND读状态时序图
图 24. NAND读状态增强时序图
109 此时序是软件可编程的。