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NAND时序特征
符号 | 说明 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
---|---|---|---|---|
tWP 109 | 写使能脉冲宽度 | 10 | — | ns |
tWH 109 | 写使能保持时间 | 7 | — | ns |
tRP 109 | 读使能脉冲宽度 | 10 | — | ns |
tREH 109 | 读使能保持时间 | 7 | — | ns |
tCLS 109 | 命令锁存使能到写使能建立时间 | 10 | — | ns |
tCLH 109 | 命令锁存使能到写使能保持时间 | 5 | — | ns |
tCS 109 | 芯片使能到写使能建立时间 | 15 | — | ns |
tCH 109 | 芯片使能到写使能保持时间 | 5 | — | ns |
tALS 109 | 地址锁存使能到写使能建立时间 | 10 | — | ns |
tALH 109 | 地址锁存使能到写使能保持时间 | 5 | — | ns |
tDS 109 | 数据到写使能建立时间 | 7 | — | ns |
tDH 109 | 数据到写使能保持时间 | 5 | — | ns |
tCEA | 芯片使能到数据存取时间 | — | 100 | ns |
tREA | 读使能到数据存取时间 | — | 40 | ns |
tRHZ | 读使能到数据高阻抗 | — | 200 | ns |
tRR | 准备就绪到读使能低 | 20 | — | ns |
tWB 109 | 写使能高到R/B低 | — | 200 | ns |
图 18. NAND命令锁存时序图
图 19. NAND地址锁存时序图
图 20. NAND数据输出周期时序图
图 21. NAND数据输入周期时序图
图 22. 扩展数据输出(EDO)周期的NAND数据输入时序图
图 23. NAND读状态时序图
图 24. NAND读状态增强时序图
109 此时序是软件可编程的。