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1.6.1. 初始叠层输入
1.6.2. 使用正确数目的电源/接地过孔对
1.6.3. 使用正确数目的电源/接地过孔对及分层数
1.6.4. 正确的电源/接地过孔对数目和分层数目
1.6.5. 移动电源到最佳层
1.6.6. 将电源平面和地平面叠层尽可能靠近
1.6.7. 将去耦电容器移动到PCB顶层表面
1.6.8. 使用X2Y去耦电容器
1.6.9. 使用超低ESR大容量电容器
1.6.10. 交换在9层的VCC与在4层的VCC,VCCT_GXB,和VCCR_GXB
1.6.11. 评估可能需要的总电容量
1.6.12. 使用内核时钟频率及电流上升周期参数
1.6.13. 综述设计研究中电容器的节省
1.6.14. 综述摘要
1.6.15. 参考文献
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1.6.6. 将电源平面和地平面叠层尽可能靠近
该阻抗曲线表示在高频时达到目标阻抗具有挑战性。可通过增加电源和接地电源平面间电容量实现较高频去耦。可利用移动电源和接地平面对更加靠近彼此达到效果。
增加电源和接地平面对的表面积也可提高层间电容量。本应用笔记全篇使用PDN工具默认的平面大小。您可更改PDN工具中每个电源组的平面电容和电阻。
将电源和接地的原始叠层分隔从4mils减少到1mil,就可看到提高。以下示例中,为了减少平面电阻,电源/接地对的平面厚度已增加到1.2 mil。下图是原始叠层(左)与新叠层(右)的对比。
图 17. 原始叠层(左)对比具有较薄电源和接地平面分隔的已改进叠层(右)

PDN工具显示将电源和接地平面移动到更加靠近可增加VCC电源Feffective到36.71MHz。
图 18. 减小电源和接地平面间隔后的VCC电源Feffective

电源和接地平面移动至更加靠近后VCCR_GXB电源的去耦电容器数减少到239。但VCC和VCCT_GXB需要的电容器数目仍多于301。
图 19. 减小电源和接地平面间隔后所需要用于VCC,VCCT_GXB,和VCCR_GXB电源的电容器数。

图 20. 减小电源和接地平面间隔后,VCC,VCCT_GXB,和VCCR_GXB电源PDN性能

显然改进PCB会提高VCC性能减少VCCR_GXB电源所需的PCB去耦电容器数目,但仍需要优化。
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