2.4.1. 英特尔Agilex® 7 FPGA封装板级去耦电容总结
表 12显示了针对 英特尔Agilex® 7 AGF006/AGF008（小型封装）， 英特尔Agilex® 7 AGF012/AGF014（中型封装）， 英特尔Agilex® 7 AGI041/AGI040/AGI035/AGI027/AGI023/AGI022/AGI019， 英特尔Agilex® 7 AGF027/AGF023/AGF022/AGF019和 英特尔Agilex® 7 AGM039/AGM032大型器件封装的PCB建议的FPGA去耦电容要求。
架构或核心去耦电容高度依赖于封装中的核或者架构（LE和GPIO管脚数量）。Intel计划在未来的发布中将在表 12中添加更多的封装以应对其它 英特尔Agilex® 7器件的去耦电容方案。
针对每个tile的去耦电容建议适用于任何尺寸的封装。
| 器件 | 英特尔Agilex® 7功率和Thermal Calculator (PTC)轨名称 | 底部电容 | FPGA外设电容 | 注释 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Thick PCB（厚度≥65 mil） | Thin PCB（厚度≤65 mil） | Thick PCB（厚度≥65 mil） | Thin PCB（厚度≤65 mil） | |||
| FPGA AGF006/AGF008（R16A和R24B）架构 | 合并的VCC和VCCP | 3x 47uF 0805 | 3x 47uF 0805 | 3x 47uF 0805 | 3x 47uF 0805 | 必须编译VR供应商电容建议。 将47uF 0805电容器放置于底部空腔（cavity）内。 在靠近FPGA的顶层使用47uF 0805外设电容器。 |
| FPGA AGF012/AGF014（R24B和R24C）架构 | 合并的VCC和VCCP | 9x 47uF 0805 30x 10uF 0402 DNI 10 |
5x 47uF 0805 30x 10uF 0402 DNI10 |
6x 47uF 0805 |
3x 47uF 0805 | 必须编译VR供应商电容建议。 将thick 0805 (47uF)电容器放置于底部空腔（cavity）内。 在靠近FPGA的顶层使用47uF 0805外设电容器。 将0402电容器放置在FPGA管脚区域中。 |
| FPGA AGF012/AGF014（R24B和R24C）架构 | 合并VCC和VCCP（低功耗场景） | N/A | 2x 100uF 0805 4x 47uF 0805 20x 10uF 0402 DNI10 |
N/A | N/A | 对于低功耗场景情境下，最大电流为70 A。薄板仅用于 PCIe* FF。 您必须遵守稳压器供应商提供的电容建议。 将thick 0805（47uF和100uF）电容放在底部空腔内。将0402电容放置在FPGA管脚场中。 |
| FPGA AGF019/AGF023架构（R25A、R24C、R31C）和 AGI019/AGI023（R31B、R18A）架构 | 合并的VCC和VCCP | 6x 100uF 0805 6x 47uF 0805 30x 10uF 0402 DNI10 |
4x 100uF 0805 4x 47uF 0805 20x 10uF 0402 DNI10 |
6x 100uF 0805 6x 47uF 0805 |
4x 100uF 0805 4x 47uF 0805 |
必须编译VR供应商电容建议。 将thick 0805 (47uF和100uF)电容器放置在底部空腔（cavity）内。 在靠近FPGA的顶层使用47uF和100uF 0805外设电容器。 将0402电容器放置在FPGA管脚场中。 |
| FPGA AGF022/AGF027架构（R25A、R24C、R31C）和 AGI022/AGI027（R29A、R31A、R31B）架构 | 合并的VCC和VCCP | 8x 100uF 0805 4x 47uF 0805 40x 10uF 0402 DNI10 |
6x 100uF 0805 4x 47uF 0805 30x 10uF 0402 DNI10 |
12x 100uF 0805 10x 47uF 0805 |
10x 100uF 0805 8x 47uF 0805 |
必须编译VR供应商电容建议。 将thick 0805 (47uF和100uF)电容器放置在底部空腔（cavity）内。 在靠近FPGA的顶层使用47uF和100uF 0805外设电容器。 将0402电容器放置在FPGA管脚场中。 |
| FPGA AGI035/AGI040 (R39A) 架构 | 合并的VCC和VCCP | 14x 100uF 0805 50x 10uF 0402 DNI10 |
10x 100uF 0805 50x 10uF 0402 DNI10 |
24x 100uF 0805 |
20x 100uF 0805 | 必须编译VR供应商电容建议。 将thick 0805 (100uF)电容器放置于底部空腔（cavity）内。 在靠近FPGA的顶层使用100uF 0805外设电容器。 将0402电容器放置在FPGA管脚区域中。 |
| FPGA AGI041（R29D、R31B）架构 | 合并的VCC和VCCP | 19x 100uF 0805 50x 10uF 0402 DNI10 |
15x 100uF 0805 30x 10uF 0402 DNI10 |
17x 100uF 0805 |
13x 100uF 0805 |
必须编译VR供应商电容建议。 将thick 0805 (100uF)电容器放置于底部空腔（cavity）内。 在靠近FPGA的顶层使用100uF 0805外设电容器。 将0402电容器放置在FPGA管脚场中。 |
| FPGA AGM039/AGM032 (R47A) 架构 | 合并的VCC和VCCP | 18x 100uF 0805 50x 10uF 0402 DNI10 |
15x 100uF 0805 30x 10uF 0402 DNI10 |
55x 100uF 0805 |
50x 100uF 0805 |
必须编译VR供应商电容建议。 将thick 0805 (100uF)电容器放置于底部空腔（cavity）内。 在靠近FPGA的顶层使用100uF 0805外设电容器。 将0402电容器放置在FPGA管脚场中。 |
| FPGA AGM039/AGM032 (R31B) 架构 | 合并的VCC和VCCP | 10x 100uF 0805 30x 10uF 0402 DNI10 |
10x 100uF 0805 30x 10uF 0402 DNI10 |
40x 100uF 0805 |
40x 100uF 0805 |
必须编译VR供应商电容建议。 将thick 0805 (100uF)电容器放置于底部空腔（cavity）内。 在靠近FPGA的顶层使用100uF 0805外设电容器。 将0402电容器放置在FPGA管脚场中。 |
| FPGA AGI、AGF和AGM/HPS | VCCPLLDIG_HPS | 1x 1uF 0201 | 1x 1uF 0201 | LC滤波器电容 | LC滤波器电容 | — |
| FPGA AGI、AGF和AGM/HPS | VCCL_HPS | 2x 10uF 0402或3x 4.7uF 0201 |
2x 10uF 0402或3x 4.7uF 0201 |
1x 22uF 0603 |
1x 22uF 0603 |
适用于以SoC为中心的设计。 |
| FPGA AGI、AGF和AGM | VCCH | 4x 22uF 0603 |
4x 22uF 0603 |
2x 47uF 0805 | 2x 47uF 0805 | 将thick 0603 (22uF)电容器放置于底部空腔（cavity）内。 |
| FPGA AGI、AGF和AGM/SDM | VCCH_SDM | 1x 1uF 0201 | 1x 1uF 0201 | N/A | N/A | — |
| FPGA AGI、AGF和AGM/SDM | VCCL_SDM | 2x 1uF 0201 | 2x 1uF 0201 | N/A | N/A | — |
| FPGA AGI、AGF和AGM/SDM | VCCPLLDIG_SDM | 1x 1uF 0201 | 1x 1uF 0201 | LC滤波器电容 | LC滤波器电容 | — |
| FPGA AGI、AGF和AGM | VCCPT | 2x 4.7uF 0201 | 2x 4.7uF 0201 | N/A | N/A | |
| FPGA AGI、AGF和AGM/PIO | VCCRCORE | 1x 1uF 0201 | 1x 1uF 0201 | N/A | N/A | — |
| FPGA AGI、AGF和AGM/PIO | VCCA_PLL | 2x 10uF 0402 | 2x 10uF 0402 | LC filter capacitors | LC filter capacitors | 适用于合理的最坏情况和低功耗场景。对于低功耗场景情况下，最大电流为1A，区别在于LC滤波电容。有关详细信息，请参阅 图 11和图 12。 |
| FPGA AGI、AGF和AGM/SDM | VCCADC | 1x 1uF 0201 | 1x 1uF 0201 | LC滤波器电容 | LC滤波器电容 | — |
| FPGA AGI、AGF和AGM/SDM | VCCPLL_SDM | 1x 1uF 0201 | 1x 1uF 0201 | LC滤波器电容 | LC滤波器电容 | — |
| FPGA AGI、AGF和AGM/HPS | VCCPLL_HPS | 1x 1uF 0201 | 1x 1uF 0201 | LC滤波器电容 | LC滤波器电容 | — |
| FPGA AGI、AGF和AGM/SDM | VCCIO_PIO_SDM | 1x 1uF 0201 | 1x 1uF 0201 | N/A | N/A | — |
| FPGA AGI、AGF和AGM/PIO | VCCIO_PIO | 2x 4.7uF 0402 | 2x 4.7uF 0402 | 1x 10uF 0402 | 1x 10uF 0402 | 取决于每个I/O bank |
| FPGA AGI、AGF和AGM/SDM | VCCIO_SDM | 1x 1uF 0201 | 1x 1uF 0201 | 1x 10uF 0402 | 1x 10uF 0402 | — |
| FPGA AGI, AGF和AGM/HPS | VCCIO_HPS | 1x 1uF 0201 | 1x 1uF 0201 | N/A | N/A | — |
| FPGA AGI、AGF和AGM/SDM | VCCBAT | 1x 1uF 0201 | 1x 1uF 0201 | 1x 10uF 0402 | 1x 10uF 0402 | — |
| FPGA AGI、AGF和AGM/SDM | VCCFUSEWR_SDM | 1x 1uF 0201 | 1x 1uF 0201 | 1x 4,7uF 0201 | 1x 4,7uF 0201 | — |
| FPGA AGM/UIB | VCCIO_UIB | 1x 10uF 0402 | 1x 10uF 0402 | 2x 47uF 0805 | 2x 47uF 0805 | 取决于HBM |
| FPGA AGM/UIB | VCCM_PUMP_HBM | 1x 10uF 0402 | 1x 10uF 0402 | N/A | N/A | 取决于HBM |
| FPGA AGM/NOC | VCCIO_NOC | 1x 1uF 0402 | 1x 1uF 0402 | N/A | N/A | 取决于每个侧 |
| FPGA AGM/NOC | VCCPLL_NOC | 1x 2.2uF 0402 | 1x 2.2uF 0402 | LC滤波器电容 | LC滤波器电容 | 取决于每个侧 |
| FPGA AGM/NOC | VCCLPLL_NOC | 1x 2.2uF 0402 | 1x 2.2uF 0402 | LC滤波器电容 | LC滤波器电容 | 取决于每个侧 |
| FPGA AGM/NOC | VCCPLLDIG_NOC | 1x 2.2uF 0402 | 1x 2.2uF 0402 | LC滤波器电容 | LC滤波器电容 | 取决于每个侧 |
10 DNI：不要安装这些电容器，但是要包含这些电容器的空间布局。这是一种防御性设计（defensive design），以便在空腔（cavity）电容（0805） 不足的情况下，可添加去耦电容。