仅对英特尔可见 — GUID: kjw1590969307040
Ixiasoft
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4. 针对组合供电轨降噪而建议的电路板LC滤波器
本章节中选择的铁氧体磁珠(FB)部件编号和电感是按照Intel的建议。但是,您可以选择不同的部件编号,只要新部件在特定频率下的电感/阻抗,电阻和其它参数与建议的FB/L部件相似(相似的电感/阻抗,以及类似于建议的部件的数据表中所提及的频率范围内的较低电阻)。
如果您使用建议的开关稳压器(ltc7151s),以及采用adi的适当设计,并且满足仿真的5 mV纹波规范,就不需要对VCCERT_FGT_GXF,VCCERT1_FHT_GXF和VCCRT_GXR轨使用LC滤波器。
零部件MPN | L (nH) | DCR (mΩ) |
---|---|---|
SL1616A-R10MHF | 100 | 0.32 |
SL1616A-R05MHF | 50 | 0.32 |
BLM18SN220TZ1 | — | 4 |
BLM18KG260TN1 | — | 7 |
上表中列出的铁氧体磁珠电容器已在Intel开发套件上进行验证,并仅供参考。您可以根据具体规范选择其它铁氧体磁珠电容器,只要满足上述规范并且LC滤波器工作良好即可。Intel建议您运行仿真来确保无进一步的更改。
零部件MPN | 尺寸(毫米/英寸) | 温度特性 | 电容值 | 电容器容差 | 额定电压(rated voltage) |
---|---|---|---|---|---|
GRM21BC80G107ME15 | 2012M/0805 | X6S | 100 µF | ± 20% | 4 V |
GRM21BC80G476ME15 | 2012M/0805 | X6S | 47 µF | ± 20% | 4 V |
GRM21BC81C226ME44 | 2012M/0805 | X6S | 22 µF | ± 20% | 16 V |
GRM188C80G476ME01 | 1608M/0603 | X6S | 47 µF | ± 20% | 4 V |
上表中列出的电容器已在Intel开发套件上进行验证,并仅供参考。您可以根据具体应用程序、使用的封装尺寸、温度范围、外形尺寸和额定电压选择其它电容器,只要满足上述规范并且LC滤波器工作良好即可。Intel建议您运行仿真来确保无进一步的更改。
根据DCR值选择LC滤波器
DC压降规格必须是电源电压的0.5%左右。如果电压轨是0.9 V,电流为1 A,BLM18SN220TZ1 DCR为4 mΩ,DC压降=电流 x DCR = 1 A X 4 mΩ = 4 mV。0.9 V的规定0.5%是4.5 mV,在规定范围内。对于更高的电流值,SL1616最合适,因为它具有最低的DCR。
使用Device Security AES BBRAM密钥的VCCBAT RC电路
建议对VCCBAT使用的连接,显示如下。将该管脚连接到一个范围在1.0V至1.8V的非易失性电池电源。必须将串联RC (R=10KΩ, C=1µF)电路添加到VCCBAT轨。
针对器件架构的P1V8_GR2( 英特尔Agilex® 7 F系列和I系列)/P1V8_GR3( 英特尔Agilex® 7 M系列)滤波器建议
将以下针对 英特尔Agilex® 7 F系列和I系列器件P1V8_GR2_FLTR电压轨或者 英特尔Agilex® 7 M系列器件P1V8_GR3_FLTR电压轨建议的连接用于噪声过滤。 英特尔Agilex® 7 F系列和I系列器件的P1V8_GR2_FLTR或者 英特尔Agilex® 7 M系列的P1V8_GR3_FLTR由 VCCADC,VCCPLL_SDM和VCCPLL_HPS组成。
对器件架构的P1V2_GR3滤波器建议
下图显示对1.2V VCCIO电源轨中VCCA_PLL的滤波器建议。
对器件架构的P0V8_GR1滤波器建议
下图示显示对P0V8_GR1电源轨中VCCPLLDIG_SDM,VCCPLL_NOC和VCCPLLDIG_NOC的滤波器建议。
对器件架构的VCCL滤波器建议
下图显示对VCCL电源轨中VCCPLLDIG_HPS的滤波器建议。