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1.8.6. 写状态操作。
写状态操作不影响写使能锁存（write enable latch）和写进行（write in progress）位。可使用写状态操作设置状态寄存器模块保护和顶层或底层位。因此，可实现此操作以保护特定存储扇区。请参阅至。设置模块保护位后，受保护存储扇区被作为只读存储器处理。必须先执行写使能操作再进行写状态操作。
以下为写状态操作的时序图。
图 10. 写状态操作时序图
在nCS信号立即驱高之后，器件启动自计时（self-timed）写状态周期。所有EPCQ-L器件的自计时写状态周期通常需要5 ms但一定少于8 ms。关于tWS 的更多细节，请参阅。必须将该延迟计算在内，以确保写入状态寄存器中所需的模块保护位。或者，在自计时写状态周期进行中，通过执行读状态操作来查看状态寄存器中的写进行位。自计时写状态周期中，写进行位被设置成1，完成后就被设置成0。