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1.10.1. 写操作时序
图 19. 写操作时序图
| 符号 | 参数 | Min | 典型 | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| fWCLK | 用于写使能，写禁用，读状态，读器件识别，写字节，批量擦除，擦除管芯和擦除扇区操作的写时钟频率（来自FPGA，下载电缆线，或嵌入式处理器） | — | — | 100 | MHz |
| tCH | DCLK高电平时间 | 4 | — | — | ns |
| tCL | DCLK低电平时间 | 4 | — | — | ns |
| tNCSSU | 芯片选择（nCS） 建立时间 | 4 | — | — | ns |
| tNCSH | 芯片选择（nCS）保持时间 | 4 | — | — | ns |
| tDSU | DATA[]出现上升沿之前，DCLK处于建立中的时间 | 2 | — | — | ns |
| tDH | DATA[]出现上升沿后，DCLK保持时间 | 3 | — | — | ns |
| tCH | 芯片选择（nCS）高电平时间 | 50 | — | — | ns |
| tWB | 写字节周期时间 | — | 0.6 | 5 | ms |
| tDH | 写状态周期时间 | — | 1.3 | 8 | ms |
| tEB | EPCQ-L256批量擦除周期时间 | — | 240 | 480 | s |
| EPCQ-L512擦除管芯周期时间 | |||||
| EPCQ-L1024擦除管芯周期时间 | |||||
| tES | EPCQ-L256擦除扇区周期时间 | — | 0.7 | 3 | s |
| EPCQ-L512擦除扇区周期时间 | |||||
| EPCQ-L1024擦除扇区周期时间 | |||||
| tESS | EPCQ-L256擦子扇区除时间 | — | 0.25 | 0.8 | s |
| EPCQ-L512擦除子扇区时间 | |||||
| EPCQ-L1024擦除子扇区时间 |