EPCQ-L串行配置器件数据表

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ID 683710
日期 12/16/2016
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1. EPCQ-L串行配置器件数据表
1. EPCQ-L串行配置器件数据表 x
1.1. 所支持的器件 1.2. 性能 1.3. 操作条件 1.4. 管脚信息 1.5. 器件封装与订购码 1.6. 存储器阵列组织结构 1.7. 存储器操作 1.8. 操作码摘要 1.9. 电源模式 1.10. 时序信息 1.11. 编程和配置文件支持 1.12. 文档修订历史
1.3. 操作条件 x
1.3.1. 绝对最大额定值 1.3.2. 建议的操作条件 1.3.3. DC操作条件 1.3.4. ICC电源电流 1.3.5. 电容
1.4. 管脚信息 x
1.4.1. EPCQ-L器件管脚说明
1.5. 器件封装与订购码 x
1.5.1. 封装 1.5.2. 订购码
1.6. 存储器阵列组织结构 x
1.6.1. EPCQ-L256的地址范围 1.6.2. EPCQ-L512的地址范围 1.6.3. EPCQ-L1024的地址范围
1.7. 存储器操作 x
1.7.1. 时序要求 1.7.2. 寻址模式
1.8. 操作码摘要 x
1.8.1. 4BYTEADDREN和4BYTEADDREX操作 1.8.2. 写使能信号。 1.8.3. 非易失性配置寄存器操作 1.8.4. 写禁用操作。 1.8.5. 读状态操作 1.8.6. 写状态操作。 1.8.7. 读字节操作 1.8.8. 快速读操作 1.8.9. 扩展型四输入快速读操作 1.8.10. 读器件识别操作 1.8.11. 写字节操作 1.8.12. 扩展型四输入快速写字节操作 1.8.13. 批量擦除操作 1.8.14. 擦除管芯操作 1.8.15. 擦除扇区操作
1.8.3. 非易失性配置寄存器操作 x
1.8.3.1. 读非易失性配置寄存器操作 1.8.3.2. 写非易失性配置寄存器操作
1.8.5. 读状态操作 x
1.8.5.1. TB Bit设置成0时，EPCQ-L256中的模块保护位 1.8.5.2. TB Bit设置成1时，EPCQ-L256中的模块保护位 1.8.5.3. TB Bit设置成0时，EPCQ-L512中的模块保护位 1.8.5.4. TB Bit设置成1时，EPCQ-L512中的模块保护位 1.8.5.5. TB Bit设置成0时，EPCQ-L1024中的模块保护位 1.8.5.6. TB Bit设置成1时，EPCQ-L1024中的模块保护位
1.10. 时序信息 x
1.10.1. 写操作时序 1.10.2. 读操作时序
1. EPCQ-L串行配置器件数据表

1.8.5. 读状态操作

可使用读状态操作来读取状态寄存器。下图介绍EPCQ-L器件状态寄存器中的状态位。

图 8. 状态寄存器位

如果将写进行位设置为1，EPCQ-L器件会执行一个写或擦除周期，而0表示没有正在进行中的写或擦除周期。

如果将写使能锁存位设置成0，则EPCQ-L器件拒绝写或擦除周期。所以在每个写字节，写状态，批量擦除，擦除管芯和擦除扇区操作前，必须将写使能锁存位设置成1。

使用顶层或底层位（TB bit）和模块保护位来确定所保护区域从存储器阵列的顶层或底层开始。当顶层或底层位被设置成0时，所保护区域从存储器阵列的顶层开始。当顶层或底层位设置成1时，所保护区域从存储器阵列的底层开始。

非易失性模块保护位可确定存储器中需要保护以防止被无意写入或擦除的区域。至罗列了EPCQ-L256，EPCQ-L512，和EPCQ-L1024 器件中的被保护区域以及模块保护位的参考内容。批量擦除和擦除管芯操作仅在所有保护位被设置成0时可用。任何模块保护位被设置成1时，才能防止相关区域被写字节操作写入或被擦除扇区操作擦除。

图 9. 写状态操作时序图
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