EPCQ-L串行配置器件数据表

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ID 683710
日期 12/16/2016
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1. EPCQ-L串行配置器件数据表
1. EPCQ-L串行配置器件数据表 x
1.1. 所支持的器件 1.2. 性能 1.3. 操作条件 1.4. 管脚信息 1.5. 器件封装与订购码 1.6. 存储器阵列组织结构 1.7. 存储器操作 1.8. 操作码摘要 1.9. 电源模式 1.10. 时序信息 1.11. 编程和配置文件支持 1.12. 文档修订历史
1.3. 操作条件 x
1.3.1. 绝对最大额定值 1.3.2. 建议的操作条件 1.3.3. DC操作条件 1.3.4. ICC电源电流 1.3.5. 电容
1.4. 管脚信息 x
1.4.1. EPCQ-L器件管脚说明
1.5. 器件封装与订购码 x
1.5.1. 封装 1.5.2. 订购码
1.6. 存储器阵列组织结构 x
1.6.1. EPCQ-L256的地址范围 1.6.2. EPCQ-L512的地址范围 1.6.3. EPCQ-L1024的地址范围
1.7. 存储器操作 x
1.7.1. 时序要求 1.7.2. 寻址模式
1.8. 操作码摘要 x
1.8.1. 4BYTEADDREN和4BYTEADDREX操作 1.8.2. 写使能信号。 1.8.3. 非易失性配置寄存器操作 1.8.4. 写禁用操作。 1.8.5. 读状态操作 1.8.6. 写状态操作。 1.8.7. 读字节操作 1.8.8. 快速读操作 1.8.9. 扩展型四输入快速读操作 1.8.10. 读器件识别操作 1.8.11. 写字节操作 1.8.12. 扩展型四输入快速写字节操作 1.8.13. 批量擦除操作 1.8.14. 擦除管芯操作 1.8.15. 擦除扇区操作
1.8.3. 非易失性配置寄存器操作 x
1.8.3.1. 读非易失性配置寄存器操作 1.8.3.2. 写非易失性配置寄存器操作
1.8.5. 读状态操作 x
1.8.5.1. TB Bit设置成0时，EPCQ-L256中的模块保护位 1.8.5.2. TB Bit设置成1时，EPCQ-L256中的模块保护位 1.8.5.3. TB Bit设置成0时，EPCQ-L512中的模块保护位 1.8.5.4. TB Bit设置成1时，EPCQ-L512中的模块保护位 1.8.5.5. TB Bit设置成0时，EPCQ-L1024中的模块保护位 1.8.5.6. TB Bit设置成1时，EPCQ-L1024中的模块保护位
1.10. 时序信息 x
1.10.1. 写操作时序 1.10.2. 读操作时序
1. EPCQ-L串行配置器件数据表

1.3.3. DC操作条件

表 4.  DC操作条件
符号 参数 条件 Min Max 单位
VIH High-level input voltage — 0.7 x VCC VCC + 0.4 V
VIL Low-level input voltage — –0.5 0.3 x VCC V
VOH High-level output voltage IOH = -100 µA 7 VCC - 0.2 — V
VOL Low-level output voltage IOL = 1.6 mA 8 — 0.4 V
II Input leakage current VI =VCC或GND –2 2 µA
7 关于IOH参数请参考high-level TTL或CMOS输出电流。
8 关于IOL 参数请参考low-level TTL或CMOS输出电流。
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