MAX 10用户闪存用户指南

ID 683180
日期 2/21/2017
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4.2.5. UFM页面擦除操作

页面擦除操作使UFM按页面擦除。
请按照下列步骤进行UFM页面擦除操作:
  1. 禁用写保护模式。通过Avalon-MM控制接口,写0到扇区写保护寄存器。
  2. 写入相应的位到控制寄存器以选择页面擦除位置。闪存IP核储存页面擦除地址并启动页面擦除操作。
    注: 当IP核处于IDLE状态时仅接受页面擦除地址;状态寄存器的busy域是2'b00。如果IP核处于繁忙状态,就会忽略页面擦除地址。
  3. 擦除操作进行中,闪存IP核将状态寄存器中的busy域设置为2'b01
  4. 如有任何新的读或写命令来自于数据接口,则闪存IP核会置位waitrequest信号。
  5. 闪存IP核擦除页面。页面擦除操作完成时,就将物理闪存擦除结果存储在状态寄存器的擦除成功域中。
    注: 最长擦除时间是350 ms。
  6. 如果发送非法地址,则闪存IP核将状态寄存器中的擦除成功域设置为1'b0(失败)。
  7. 如要执行另一个页面擦除操作,就重复以上步骤。
  8. 页面擦除操作完成后,必须使能恢复写保护模式。通过Avalon-MM控制接口写1到相应页面的写保护寄存器。
    注: 每次擦除后要查看状态寄存器以确保擦除操作成功(擦除成功)。