MAX 10用户闪存用户指南

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ID 683180
日期 2/21/2017
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文档目录
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1. MAX® 10用户闪存概述 2. MAX® 10 UFM体系结构和特性 3. MAX® 10 UFM设计考量 4. MAX® 10 UFM实现指南 5. Altera On-Chip Flash IP核参考 A. MAX 10 User Flash Memory User Guide存档 B. MAX 10用户闪存用户指南修订历史
2. MAX® 10 UFM体系结构和特性 x
2.1. UFM和CFM阵列大小 2.2. UFM存储器组织映射 2.3. UFM块结构图 2.4. UFM操作模式
3. MAX® 10 UFM设计考量 x
3.1. 指南：UFM电源要求 3.2. 指南：通过JTAG编程和读UFM 3.3. 指南：UFM内容初始化 3.4. 指南：先擦除后编程
4. MAX® 10 UFM实现指南 x
4.1. Altera On-Chip Flash IP核 4.2. UFM Avalon-MM操作模式 4.3. 闪存初始化文件
4.2. UFM Avalon-MM操作模式 x
4.2.1. UFM读状态和控制寄存器 4.2.2. UFM写控制寄存器 4.2.3. UFM编程（写）操作 4.2.4. UFM扇区擦除操作 4.2.5. UFM页面擦除操作 4.2.6. UFM读操作 4.2.7. UFM突发读操作
4.2.7. UFM突发读操作 x
4.2.7.1. UFM数据递增突发读取 4.2.7.2. UFM数据封装突发读
5. Altera On-Chip Flash IP核参考 x
5.1. Altera On-Chip IP Flash参数 5.2. Altera On-Chip IP闪存信号 5.3. Altera On-Chip Flash IP寄存器
5.3. Altera On-Chip Flash IP寄存器 x
5.3.1. 扇区地址
1. MAX® 10用户闪存概述
2. MAX® 10 UFM体系结构和特性
3. MAX® 10 UFM设计考量
4. MAX® 10 UFM实现指南
5. Altera On-Chip Flash IP核参考
A. MAX 10 User Flash Memory User Guide存档
B. MAX 10用户闪存用户指南修订历史

3.4. 指南：先擦除后编程

确保在执行一个编程（写）操作之前擦除闪存位置。

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