英特尔® Stratix® 10 MX FPGA

英特尔® Stratix® 10 MX FPGA 可用作高性能计算 (HPC)、数据中心、网络功能虚拟化 (NFV) 和广播应用的基本多功能加速器。 这些设备兼具英特尔® Stratix® 10 FPGA 和 SoC 的可编程性和灵活性,且支持 3D 堆栈式高带宽内存 2 (HBM2)。英特尔® Hyperflex™ FPGA 架构支持高性能内核架构,可有效利用封装内存区块的带宽。DRAM 内存区块借助英特尔的嵌入式多芯片互连桥接 (EMIB) 技术物理连接至 FPGA。

另请参阅:英特尔® Stratix® 10 MX FPGA 设计软件设计商店下载、文档社区支持

英特尔® Stratix® 10 MX FPGA

英特尔® Stratix® 10 MX FPGA

查看英特尔® Stratix® 10 MX FPGA,并了解产品规格、功能、应用等。

查看产品表

比较
产品名称
状态
发行日期
逻辑元件 (LE)
数字信号处理 (DSP) 模块
最大嵌入式内存
封装选项
价格
Intel® Stratix® 10 MX 2100 FPGA Launched 2017 2073000 3960 239.5 Mb F2597, F2912
Intel® Stratix® 10 MX 1650 FPGA Launched 2017 1679000 3326 223.5 Mb F2597, F2912

功能与优势

应用

使用EMIB实现芯片级集成

英特尔开发的嵌入式多管芯互联桥接(EMIB)创新封装技术支持系统关键组件的封装内高效集成,例如,模拟设备、内存、ASIC、CPU,等。与其他的封装内集成技术相比,EMIB 提供了更简单的制造流程。EMIB 避免了使用直通硅过孔(TSV)和特殊的中介层硅。结果是高度集成的系统级封装产品,提高了性能,降低了复杂度,同时获得了优异的信号和电源完整性。关于英特尔 EMIB 技术的其他信息,请访问英特尔专业晶圆代工网站:http://www.intel.com/content/www/us/en/foundry/emib.html

常规方法

  • 芯片到芯片的带宽有限。
  • 系统功耗过高。
  • 外形过大。

异构 SiP 方法

  • 带宽更高。
  • 功耗更低。
  • 外形尺寸更小。
  • 功能更强。
  • 混合工艺节点的能力。

内存

封装内 FPGA 和靠近内存

英特尔的靠近内存解决方案在同一个封装中靠近 FPGA 集成了高密度 DRAM。 在这种配置中,与传统的主内存相比,对封装内内存的访问非常快,带宽提高了10倍。内存靠近这种配置缩短了 FPGA 与内存之间的走线长度,从而降低了系统功耗,减小了电路板面积。

DRAM 系统级封装 (SiP) 解决方案利用高带宽内存 2 (HBM2),消除高性能系统中的内存带宽瓶颈,以处理日益增多的数据,包括数据中心、广播、有线网络和高性能计算系统。

HBM2 DRAM

HBM2 DRAM 是 3D 内存,使用硅片直通孔(TSV)技术垂直堆叠了多个 DRAM 管芯。与基于分立 DDR 的解决方案相比,HBM2 DRAM 的内存带宽更高,系统功耗更低,外形封装更小,从而实现了最佳每瓦性能。

英特尔® Stratix® 10 MX 设备集成 HBM2 区块以及高性能单片 14 纳米 FPGA 芯片,能够提供超过独立 DRAM 解决方案 10 倍的内存带宽。