基本要素

容量
256 GB
状态
Discontinued
发行日期
Q2'19
使用条件
PC/Client/Tablet

性能规范

顺序读取(最高)
1450 MB/s
顺序写入(最高)
650 MB/s
随机读取(8GB 跨度)(最高)
230000 IOPS (4K Blocks)
随机写入(8GB 跨度)(最高)
150000 IOPS (4K Blocks)
电源 —— 活动
5.3W
电源 —— 闲置
L1.2 : <12mW

可靠性

震动 —— 操作
2.17 GRMS (5-700 Hz) Max
震动 —— 不操作
3.13 GRMS (5-800 Hz) Max
撞击(操作和不操作)
1000 G / 0.5 ms and 1500 G / 0.5 ms
操作温度范围
0°C to 70°C
最高运行温度
70 °C
最低运行温度
0 °C
耐用等级(终身写入)
75TBW
故障间的平均时间(MTBF)
1.6 Million Hours
无法纠正的位错误速率(UBER)
< 1 sector per 10^15 bits read
保修期
5 yrs

补充信息

产品简介
其他信息 URL
说明
Introducing the new Intel® Optane™ Memory H10 with Solid State Storage which combines two breakthrough technologies, Low-latency Intel® Optane™ technology and high-density Intel® QLC 3D NAND in a single M.2 2280 form factor.

封装规格

重量
Less than 10 grams
板型
M.2 22 x 80mm
接口
PCIe 3.0 x4, NVMe

先进技术

增强的停电数据保护功能
温度监测和记录
端到端数据保护
Intel® Rapid Start Technology