说明
《外部内存接口手册第 2 卷》，第 9 章，"实施和参数化内存 IP"的第 2 卷，其中有有关如何选择时序参数的详细信息，但下面的描述是一个更加简洁的总结。
如果不存在所需 DDR3 组件的预设，建议的方法是选择类似的预设作为起点，然后根据需要修改参数。
请注意，某些参数取决于内存控制器 PHY 设置的"内存时钟频率"参数。即使您使用的是现有Altera预设，如果时钟频率低于所使用内存速度等级的最高频率，则可能需要修改一些参数。
使用 Micron DDR3 内存设备时，建议使用下面的流程。
确保 DDR3 megawiñd 对正在使用的 DDR3 速度等级设备和操作频率进行了参数化。某些参数取决于频率（tRTP、tWTR、tRRD）、页面大小（tFAW，tRRD）和速度等级相关（CL、CWL、tRAS、tRCD、tRP）。
对于 CL、CWL、tRAS、tRCD、tRP 等参数，请直接从设备速度箱表中选择这些值。对于 CAS 延迟 （CL） 和 CAS 写入延迟 （CWL），选择使用的时钟周期值。
对于剩余的计时参数，从名为"电气特征和交流操作条件"的表格中从 Micron DDR3 数据表中获取该值。在列中选择与正在使用的内存速度等级的数据速率对应的参数。 例如，对于 -125 速度等级设备 （800MHz）， 使用 DDR3-1600 列。
- 如果参数是 ps、ns、我们或分数中的特定值，请直接使用这些参数。
- 如果参数为时钟周期的倍数（tWTR、tRTP、tRRD），使用实际的内存时钟周期来计算这些值。
其他 DDR3 内存供应商也使用类似的流程，其中参数可能位于数据表中的不同表格中。