文章 ID: 000077104 内容类型: 故障排除 上次审核日期: 2013 年 11 月 11 日

为什么 tRCD 大于 DDR3 UniPHY 控制器的预期?

环境

    英特尔® Quartus® II 订阅版
    带有 UniPHY 英特尔® FPGA IP 的 DDR3 SDRAM 控制器
BUILT IN - ARTICLE INTRO SECOND COMPONENT
说明

当事务由以内存时钟的四分之一速率 (1 ctl_clk = 4 mem_ck) 运行的控制器时钟生成事务时,您可能会在 DDR3 UniPHY 四分之一速率内存控制器中看到大于预期的 tRCD 延迟。

解决方法

控制器能够为每个控制器时钟发出 2 个命令,单行命令(如 ACTIVATE 或 PRECHARGE)和单列命令(如 WRITE 或 READ)。当 tRCD 为 11 时,表示 11 mem_ck 或 2.75 (11/4) ctl_clk。

此值向上舍入为 3 ctl_clk或 12 mem_ck。此外,每个控制器时钟可分为四个相位,每个控制器时钟的每个mem_ck周期对应一个相位。控制器设计用于在每个控制器时钟周期的第一阶段发送行命令,在第三阶段发送列命令。这为 tRCD 增加了 2 mem_ck 延迟。在本例中,tRCD 的最终延迟为 12、2 或 14 mem_ck。

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