BBU（电池备份单元）充电周期期间英特尔® RAID Controller高速缓存写入策略设置
当安装英特尔® RAID缓存电池备份单元 （BBU） 时，可根据逻辑驱动器启用 英特尔® RAID Controller 英特尔® RAID 控制器的缓存写入策略。在断电的情况下，BBU 将将数据保留一段时间的高速缓存，然后在断电后完成数据写入硬盘。电池在高速缓存中保存数据的时间量取决于控制器的内存和电池配置。查看正在使用的 BBU 解决方案的规格。
当逻辑驱动器的高速缓存写入策略设置为回写时，会临时设置为在电池充电期间 写 入，以便在充电周期期间断电时保护数据，然后在电池完全充电时自动返回 回写 。
执行 I/O 性能测试时，由于通过高速缓存设置的临时写入，当 BBU 充电时，性能测试可能会显示较低的性能。要获得更好的性能指标， 等待电池在缓存设置被重置时完全充电 ， 以回写逻辑驱动器。
| 注意 | 通过设置“ 始终写回”缓存写入策略，可以强制逻辑驱动器始终保持回写模式;但是，当 BBU 不可用且无法运行时，缓存内存中的数据将无法得到保护。只有当数据丢失不是问题且需要性能时，才能使用此功能。 |
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