英特尔® eASIC™ N3X 设备

英特尔® eASIC™ N3X 设备采用 28 纳米工艺制造。英特尔® eASIC™ 设备支持快速部署以逻辑、DSP 或 IO 为主导的定制设备。

英特尔® eASIC™ N3X 设备

英特尔® eASIC™ N3X 设备

 

N3XT500(28 纳米)

eCell

503,424

eDFF

346,104

全加器

503,424

bRAM (KB)

15,409

bRAM 内存块

1,672

PLL

16

DLL

42

MGIO-T

18 (12.5Gbps)

 

CS160(7x11 毫米)

4/30

FC484(23 毫米)

8/316

FC672(27 毫米)

8/316

FC780(29 毫米)

14/336

FC896(31 毫米)

18/336

FC1152(35 毫米)

18/392