Intel Corporation技术开发高级副总裁 Sanjay Natara Intel Corporation在 2021 年 7 月 26 日"英特尔加速"活动的一部分虚拟演示中发言。在这次活动中，英特尔介绍了公司的未来流程和封装技术路线图。（信用：Intel Corporation）
Intel Corporation首席执行官 Pat Gelsinger 在 2021 年 7 月 26 日"英特尔加速"活动的虚拟演示中发表演讲。在这次活动中，英特尔介绍了公司的未来流程和封装技术路线图。（信用：Intel Corporation）
Intel Corporation首席执行官 Pat Gelsinger 在 2021 年 7 月 26 日"英特尔加速"活动的虚拟演示中发表演讲。在这次活动中，英特尔介绍了公司的未来流程和封装技术路线图。（信用：Intel Corporation）
Intel Corporation首席执行官 Pat Gelsinger 在 2021 年 7 月 26 日"英特尔加速"活动的虚拟演示中发表演讲。在这次活动中，英特尔介绍了公司的未来流程和封装技术路线图。（信用：Intel Corporation）
Intel Corporation公司副总裁 Sabi 在 2021 年 7 月 26 日"英特尔加速"活动的一部分虚拟演示中发表演讲。在这次活动中，英特尔介绍了公司的未来流程和封装技术路线图。（信用：Intel Corporation）
Intel Corporation技术开发高级副总裁兼总经理 Ann K brooksher 在 2021 年 7 月 26 日"英特尔加速"活动的一个虚拟演示中发言。在这次活动中，英特尔介绍了公司的未来流程和封装技术路线图。（信用：Intel Corporation）
Intel Corporation技术开发高级副总裁兼总经理 Ann K brooksher 在 2021 年 7 月 26 日"英特尔加速"活动的一个虚拟演示中发言。在这次活动中，英特尔介绍了公司的未来流程和封装技术路线图。（信用：Intel Corporation）
Intel Corporation技术开发高级副总裁兼总经理 Ann K brooksher 在 2021 年 7 月 26 日"英特尔加速"活动的一个虚拟演示中发言。在这次活动中，英特尔介绍了公司的未来流程和封装技术路线图。（信用：Intel Corporation）
新闻亮点
- 制程和封装创新路线图，为 2025 年及以后的下一波产品提供动力。
- 两种突破性工艺技术：RibbonFET，英特尔十多年来首项全新晶体管架构;PowerVia，业界首款后端电源输送技术。
- 借助 Foveros Omni 和 Foveros Direct，持续引领先进的 3D 封装创新。
- 新节点命名，可在英特尔进入半导体的 angstrom 时代时，为客户和行业创建一致的框架，从而更准确地查看流程节点。
- 通过首次客户公告，英特尔® Foundry Services （IFS） 将实现强劲动力。
SANTA CLARA，小区，2021 年 7 月 26 日 - Intel Corporation 今天展示了该公司有史以来最详细的流程和封装技术路线图之一，展示了在 2025 年及以后为产品提供支持的一系列基础创新。除了宣布十多年来首款全新晶体管架构 RibbonFET 以及业界首款新型后端电源传输方法 PowerVia 外，该公司重点介绍了其计划迅速采用下一代极致超紫外光刻 （EUV），被称为高数值孔径 （High NA） EUV。英特尔将获得业界第一款高 NA EUV 生产工具。
英特尔首席执行官 Pat Gelsinger 在全球"英特尔加速"网络直播期间表示："基于英特尔在高级封装领域无可置疑的领先地位，我们正在加速我们的创新发展蓝图，以确保我们在 2025 年之前实现性能领导地位的清晰途径。"我们正在利用无与伦比的创新管道，以提供从晶体管到系统层级的技术进步。在周期表成为成功之前，我们将不懈努力地追求摩尔定律，以及我们借助芯片的魔力去创新之路。"
更多：制程和封装创新（按套件）|"英特尔加速"网络直播（事件直播/重播）|加快流程创新（概况表）|加快流程创新（报价）|英特尔引入了新的"功能区"和"PowerVia 技术"（视频）|英特尔 EMIB 技术介绍（视频） |英特尔Foveros技术说明（视频）
业界一直认识到，传统的基于纳米的工艺节点命名在 1997 年停止与实际门长指标匹配。今天，英特尔为其流程节点推出了全新的命名结构，创建了清晰、一致的框架，让客户可以更准确地查看整个行业的流程节点。随着英特尔 Foundry Services 的推出，这一清晰信息比以往任何时候都更为重要。"今天发布的创新技术不仅将实现英特尔的产品发展蓝图;对于我们的代厂客户来说，它们也至关重要，"Gelsinger 说道。"人们对 IFS 的兴趣非常强烈，很高兴今天我们宣布我们的前两大客户。IFS 已开始比赛！"
英特尔技术人员描述了具有 新节点名称和实现每个节点的创新的以下路线图：
- 与基于 FinFET 晶体管优化的英特尔 10 纳米 SuperFin 相比，英特尔7可实现每瓦 10% 到 15% 的性能提升。英特尔 7 将在 2021 年面向客户端的Alder Lake 和数据中心的Sapphire Rapids 等产品中出现，预计将于 2022 年第一季度投产。
- 英特尔 4 完全采用 EUV 光刻技术，使用超短波长光打印超小巧的功能。随着性能功耗比提高约 20%，加上区域改进，英特尔 4 将在 2022 年下半年开始生产，用于 2023 年发货的产品，包括客户Meteor Lake和数据中心Granite Rapids。
- 英特尔 3 进一步利用 FinFET 优化和增强的 EUV，相比英特尔 4，性能比增加了 18%/瓦，还提供了额外的区域改进。英特尔 3 将于 2023 年下半年开始生产产品。
- 英特尔 20A 采用两种突破性技术 （RibbonFET 和 PowerVia）引领了 angstrom 时代。自 2011 年率先开创 FinFET 以来，英特尔实施门全面晶体管，将成为该公司首个全新晶体管架构。该技术实现了更快的晶体管切换速度，同时在较小的占用空间中实现了与多翼相同的驱动器电流。PowerVia 是英特尔在行业内率先实施后端供电，通过消除晶片前端电源布线需求，优化了信号传输。预计 2024 年英特尔 20A 将有所提升。该公司还对有机会使用其英特尔 20A 工艺技术与 Qualcomm 进行合作感到兴奋。
- 2025 年及以后： 除了英特尔 20A 之外，英特尔 18A 也在 2025 年初开始开发，包括为带状FET 提供的优化，这将实现晶体管性能的又一重大飞跃。英特尔还致力于定义、构建和部署下一代 High NA EUV，并希望获得业界首个生产工具。英特尔与 ASML 紧密合作，以确保实现超越最新一代 EUV 的行业突破。
2021 年 7 月 26 日，"英特尔加速"活动的一部分显示有Foveros晶片级装配的"Meteor Lake"测试包。在这次活动中，英特尔介绍了公司的未来流程和封装技术路线图。（信用：Intel Corporation）
2021 年 7 月 26 日，英特尔 4 上面向客户端的"Meteor Lake"计算块测试晶片作为"英特尔加速"活动的一部分显示。在这次活动中，英特尔介绍了公司的未来流程和封装技术路线图。（信用：Intel Corporation）
英特尔的全新 RibbonFET 技术（公司实施全面晶体管）作为 2021 年 7 月 26 日"英特尔加速"活动的一部分显示。在这次活动中，英特尔介绍了公司的未来流程和封装技术路线图。（信用：Intel Corporation）
全新 PowerVia 技术是英特尔在行业内率先实施的后台供电网络，作为 2021 年 7 月 26 日"英特尔加速"活动的一部分显示。在这次活动中，英特尔介绍了公司的未来流程和封装技术路线图。（信用：Intel Corporation）
左侧图像显示了与晶片顶部交互的电源和信号线的设计。右侧图像显示了全新的 PowerVia 技术，英特尔在行业内率先实施了后端供电网络。PowerVia 于 2021 年 7 月 26 日在"英特尔加速"活动中推出。在这次活动中，英特尔介绍了公司的未来流程和封装技术路线图。（信用：Intel Corporation）
"英特尔在基础流程创新方面拥有悠久的历史，并通过突飞猛进让行业实现了飞跃，"技术开发高级副总裁兼总经理 Ann Kher 博士说。"我们领导了向 90 纳米的受压力的芯片过渡到 45 纳米的高 k 金属门和 22 纳米的 FinFET。通过两项突破性的创新，英特尔 20A 将成为制程技术的另一个分水线时刻：带状芯片组和 PowerVia。"
借助英特尔的新 IDM 2.0 战略，封装在意识到摩尔法律的优势方面变得越来越重要。英特尔宣布，AWS 将是第一个使用 IFS 封装解决方案的客户，同时也提供了有关公司业界领先的高级封装路线图的以下见解：
- EMIB 继续成为行业领先者，成为首款 2.5D 嵌入式桥接解决方案，产品自 2017 年发货。Sapphire Rapids将是第一款使用 EMIB（嵌入式多芯片互连桥接）批量运送的英特尔® 至强®数据中心产品。它将成为行业内第一个双斜视图大小的设备，其性能几乎与单片设计相同。除了Sapphire Rapids，下一代 EMIB 将从 55 微米碰撞间距迁移至 45 微米。
- Foveros 利用晶片级封装功能，提供了首创性的 3D 堆栈解决方案。Meteor Lake将是客户端产品中第二代实施Foveros，具有 36 微米碰撞间、块横跨多个技术节点以及 5 至 125W 的散热设计功率范围。
- Foveros Omni 为芯片到芯片互连和模块化设计提供了性能 3D 堆栈技术，提供了无限的灵活性，引领了新一代Foveros技术。Foveros Omni 允许芯片分离，在混合晶片节点上将多个顶芯片块和多个基块混合在一起，预计于 2023 年实现批量制造。
- Foveros Direct 转向将铜质绑定为铜质绑定，以进行低耐用性互连，并模糊晶片末端和封装开始地点之间的边界。Foveros Direct 实现了 10 微米以下的碰撞间距，提高了 3D 堆栈的互连密度，为功能芯片分区开创了过去无法实现的新概念。Foveros Direct 是 Foveros Omni 的补充，预计也在 2023 年就绪。
今天讨论的突破性成果主要由英特尔在俄勒冈和亚利桑那州的工厂开发，从而巩固了该公司在美国研发和制造领域中唯一处于领先地位的角色。 此外，这些创新还利用了与美国和欧洲合作伙伴生态系统的紧密协作。深度合作伙伴关系是将实验室的基础创新引入大批量制造的关键，英特尔致力于与政府建立合作伙伴关系，以加强供应链，并推动经济和国家安全。
该公司通过确认有关其英特尔 InnovatiON 活动的更多详细信息来结束网络直播。英特尔 InnovatiON 将于 2021 年 10 月 27 日至 28 日在旧金山与在线举办。更多信息请访问 英特尔 ON 网站。
有关英特尔的流程路线图和节点命名的更多信息，请访问 流程事实表。要观看今天网络直播的重播，请访问 英特尔新闻发布室 或英特尔的 投资人关系网站。