利用创新的制造工艺技术进行构建
沿袭英特尔持续创新的传统，推动英特尔代工不断开拓创新。
了解我们创新的工艺技术
英特尔在过去 20 年主导了晶体管的重要创新。凭借我们在制造鳍式场效应晶体管 (FinFET) 领域的创新优势，我们将 2D 晶体管沟道提升至三维，极大地改善了对流经该沟道的电子的控制。
这些晶体管以更低的电压和漏电率运行，实现了前所未有的性能和能效结合。晶体管因此变得比以往更小、更快，使用的能耗也更少。
自近 10 年前推出 FinFET 以来，我们不断将其完善。现在，我们利用 RibbonFET 和 PowerVia 突破性技术，推动下一代晶体管的创新。
英特尔 16：通往 FinFET 的理想网关
具有平面灵活性的 FinFET 的优势：
- 具有更少的掩膜和更简单后端设计规则的 16 纳米级节点的性能。
英特尔 3：英特尔终极 FinFET 节点
通过广泛使用极紫外 (EUV) 技术，提高性能功耗比：
- 英特尔 4 的演变，0.9 倍的逻辑扩展，性能功耗比提升 17%1。
- 增加密集程度更高的库、改进驱动器电流和互连，同时从英特尔 4 学习中受益，加快产量提升。
- 非常适合通用计算应用。
英特尔 18A：自 FinFET 以来最大的创新
推出 RibbonFET 和 PowerVia：
- 自 2011 年英特尔将 FinFET 引入 HVM 以来的最大创新。
- 与 FinFET 相比，全环绕栅极 (GAA) 晶体管提高了密度和性能。
- 优化的 Ribbon 堆栈提供出色的性能功耗比和最低供电电压 (Vmin)。
- PowerVia 是英特尔独特的、业界首创的背面供电传输架构实现，可将标准单元利用率提升 5-10%，性能提升超过 5%2。
- 非常适合高性能计算 (HPC) 和移动应用。
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为了帮助您构建下一代芯片，我们在全球各个制造基地进行了大量投资，推动确立全球创新地位。我们独特的产品在创新的工艺技术以及合作伙伴生态系统助力下得以实现。
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公告和免责声明3
产品和性能信息
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基于英特尔内部分析。
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