英特尔的低卤设备

“低卤”一词目前还没有明确的定义，而且在本文发布时，全世界也没有任何法规将其作为一项要求来强制执行。然而，为了确保整个行业有一个统一和一致的理解，英特尔采用了 JEDEC JEP 709 中对“低卤”含义的定义，因为它与固态设备有关。在英特尔内部，“低卤”一词采用了 JEDEC JEP 709 的第 4 条中的定义，并用于标识含有来自溴化和氯化阻燃剂（BFR、CFR）的低浓度溴和氯的固态设备。

英特尔采用的 JEDEC 定义

卤素氟 (F)、碘 (I) 和砹 (At) 不在 JEDEC 准则的覆盖范围内。溴 (Br) 和氯 (Cl) 是指这些元素的所有氧化状态。JEDEC 的定义中不包括在加工过程中可能存在于材料中，但不会保留在最终产品中的溴 (Br) 和氯 (Cl)。

根据 JEDEC，固态设备必须满足以下所有要求才能被定义为“低卤”：

  1. 固态设备中包含的所有印刷电路板层都应满足最新版本的 IEC 61249-2 中定义的针对 Br 和 Cl 的“无卤素”要求；
  2. 固态设备中每种塑料材料（不包括印刷电路板层）的溴含量应 <1000 ppm (0.1%)（如果溴的来源为 BFR），并且氯含量应 <1000 ppm (0.1%)（如果氯的来源为 CFR）。固态设备中包含的塑料（这些设备中的印刷电路板层除外）允许含有较高浓度的溴和氯，只要它们的来源不是 BFR、CFR。
  3. 尽管溴和氯的元素分析可以通过任何具有足够灵敏度和选择性的分析方法来进行，但 BFR 和 CFR 的存在或不存在应通过任何可接受的分析技术和/或允许明确标识具体溴或氯化合物的材料声明，或通过客户和供应商之间商定的适当材料声明来进行验证。

以下设备是英特尔的低卤设备：

  • 英特尔 Agilex® 9 FPGA、英特尔 Agilex® 7 FPGA、英特尔 Agilex® 5 FPGA
  • Stratix® IV、Stratix® V 和英特尔® Stratix® 10
  • Cyclone® IV、Cyclone® V 和英特尔® Cyclone® 10
  • Arria® II、Arria® V 和英特尔® Arria® 10
  • HardCopy III、HardCopy IV 和 HardCopy V
  • MAX® V 和英特尔® Max® 10
  • 串行配置（EPCS、EPCQ、EPCQ-L、EPCQ-A）

此处未列出的较早设备也可能是低卤设备。请联系英特尔进行确认。英特尔拟将低卤材料用于所有将来设备。