文章 ID: 000085325 内容类型: 故障排除 上次审核日期: 2021 年 08 月 28 日

为什么 DDR SDRAM 和 DDR2 SDRAM 高性能控制器 I 为写入操作生成的 DQS 和 DQSn 信号在写入突发结束时有额外的脉冲?

环境

BUILT IN - ARTICLE INTRO SECOND COMPONENT
说明

基于 AFI 的 DDR 和 DDR2 SDRAM 高性能控制器 I (HPC I) 出现问题,导致 DQS 和 DQSn 信号在写入突发后生成额外脉冲,如 下图 1 所示。

Figure 1

此问题影响使用半速率 DDR 和 DDR2 SDRAM HPC I 针对® IV、Stratix III 和Arria® II GX 设备Stratix 的设计。全速率模式下基于 AFI 的 DDR 和 DDR2 SDRAM HPC 不受影响。

如果您使用的是 DM 引脚,此问题不会导致系统出现任何功能问题。由于在写入突发后生成额外的脉冲,额外的脉冲不会导致将不正确的数据写入 SDRAM,因为控制器在写入突发后表明 DM 引脚高。

DDR 和 DDR2 SDRAM HPC II 不受此问题的影响。

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