文章 ID: 000077811 内容类型: 产品信息和文件 上次审核日期: 2014 年 04 月 15 日

将两个 DDR3 硬核内存控制器从 FPGA 设备的上边缘绑定到底部边缘时,如何修复内核设置时序违规?

环境

  • 英特尔® Quartus® II 软件
  • BUILT IN - ARTICLE INTRO SECOND COMPONENT
    说明

    当您绑定位于顶部和底部边缘的两个 DDR3 硬核内存控制器 (HMC) 并使用 pll_afi_half_clk 作为 MPFE 端口的时钟时,您可能会在 bonding_in_* 和 bonding_out_* 通路之间出现内核建立时间违规。

    虽然 MPFE 时钟最高可以运行硬核内存控制器频率的一半,但最大 MPFE 时钟频率取决于内核结构的性能。从 bonding_out_* 到 bonding_in_* 的路径穿过内核结构,而且路径过长,会导致时序违规。

    解决方法

    降低 MPFE 时钟频率以实现时序收敛,增加 MPFE 端口的数据宽度以保持内存接口上的相同带宽。

    相关产品

    本文适用于 13 产品

    Arria® V GT FPGA
    Cyclone® V FPGA 和 SoC FPGA
    Cyclone® V E FPGA
    Arria® V SX SoC FPGA
    Cyclone® V ST SoC FPGA
    Arria® V ST SoC FPGA
    Cyclone® V SX SoC FPGA
    Cyclone® V GT FPGA
    Cyclone® V GX FPGA
    Arria® V GZ FPGA
    Arria® V GX FPGA
    Arria® V FPGA 和 SoC FPGA
    Cyclone® V SE SoC FPGA

    本页面上的内容是原始英文内容的人工翻译与计算机翻译的组合。我们提供此内容是为了您的便利并且仅供参考,未必完整或准确。如果本页面的英文版与翻译版之间存在任何冲突,应以英文版为准。 查看此页面的英语版本。