系统内存用于英特尔® 台式机主板 D2550MUD2
系统内存功能
主板有两个204针 DDR3 DIMM 插座, 并支持以下内存功能:
- DDR3, 带镀金触点的 dimm
- 缓冲、单面或双面 dimm
- 4 GB 最大系统内存
- 最小系统内存: 256 MB
- 非 ECC dimm
- 串行存在检测
- DDR3 1066 兆赫, DDR3 1333 兆赫, DDR3 1600 兆赫, 因此 dimm (DDR3 1333 兆赫和 DDR3 1600 兆赫内存将运行在1066兆赫)
由于被动冷却的热约束, 系统内存必须具有85°C 的工作温度等级。该板设计为在通风良好的机箱中被动冷却。我们建议在系统内存区域上方的机箱排气位置, 以获得最大散热。
如果只安装一个 DIMM, 则必须将其安装在底部插座 (即 DIMM 1) 中。
为了符合 DDR3 的内存规格, 请使用支持串行状态检测 (SPD) 数据结构的 dimm 填充主板。然后, BIOS 可以读取 SPD 数据并对芯片组进行编程, 以便准确配置内存设置以获得最佳性能。如果安装了非 SPD 内存, 则性能和可靠性会受到影响, 或者 SODIMMs 在确定的频率下可能无法正常工作。
支持的内存配置
系统内存配置基于可用性, 并且会受到更改。支持在插槽1中安装一个 4 GB 的 DIMM。插槽0必须留空。
原始卡版本 | DIMM 容量 | DRAM 设备技术 | DRAM 组织 | # 的 DRAM 设备 |
B | 1 GB | 1 Gb | 128 M x 8 | 8 |
2 GB | 2 Gb | 256 M x 8 | 8 | |
F | 2 GB | 1 Gb | 128 M x 8 | 16 |
4 GB1 | 2 Gb | 256 M x 8 | 16 |
已测试内存
计算机内存测试实验室 * (CMTL) 根据内存制造商的要求测试第三方内存, 以便与英特尔®主板兼容。请参阅此英特尔®台式机主板的CMTL 高级测试内存列表*。
下表列出了在开发过程中通过测试的部件。在整个产品生命周期中, 部件号可能无法随时可用。
模块制造商 | 模块部件号 | 模块大小 | 模块速度 | ecc 或非 ecc | 组件制造商 | 部件号 |
elpida | EBJ21UE8BAU0-AE-E | 2 GB | 1066兆赫 | 非 ECC | elpida | EBJ21UE8BAU0-AE-E |
EBJ21UE8BAU0-DJ-E | 2 GB | 1333兆赫 | 非 ECC | elpida | EBJ21UE8BAU0-DJ-E | |
hynix | HMT125S6TFR8C-G7N0 | 2 GB | 1066兆赫 | 非 ECC | hynix | HMT125S6TFR8C-G7N0 |
HMT125S6BFR8C-H9N0 | 2 GB | 1333兆赫 | 非 ECC | hynix | HMT125S6BFR8C-H9N0 | |
微米 | MT8JSF12864HZ-1G4F1 | 1 GB | 1333兆赫 | 非 ECC | 微米 | MT8JSF12864HZ-1G4F1 |
MT16JSF25664HY-1G1D1 | 2 GB | 1066兆赫 | 非 ECC | 微米 | MT16JSF25664HY-1G1D1 | |
MT8J25664HZ-1G4D1 | 2 GB | 1333兆赫 | 非 ECC | 微米 | MT8J25664HZ-1G4D1 | |
三星 | M471B2873FHS-CF8 | 1 GB | 1066兆赫 | 非 ECC | 三星 | M471B2873FHS-CF8 |
M471B2873EH1-CH9 | 1 GB | 1333兆赫 | 非 ECC | 三星 | M471B2873EH1-CH9 | |
M471B5673EH1-CF8 | 2 GB | 1066兆赫 | 非 ECC | 三星 | M471B5673EH1-CF8 | |
M471B5773CHS-CH9 | 2 GB | 1333兆赫 | 非 ECC | 三星 | M471B5773CHS-CH9 |