系统内存用于英特尔® 台式机主板 DH67VR

文档

兼容性

000007864

2017 年 09 月 26 日


系统内存功能
主板有四个 DIMM 插座, 并支持以下内存功能:

  • 1.5V DDR3 与镀金触点的 dimm, 可选择提高电压以支持高性能 DDR3
  • 支持1.35V 低压 DDR3 (新 JEDEC 规范)
  • 两个具有交错模式支持的独立内存通道
  • 缓冲、单面或双面 dimm, 具有以下限制: 不支持带有 x16 组织的双面 dimm
  • 32 gb 最大总系统内存 (具有 4 gb 内存技术)
  • 最小推荐总系统内存: 512 MB
  • 非 ECC dimm
  • 串行存在检测
  • DDR3 1333 mhz 和 DDR3 1066 兆赫的 SDRAM dimm

要完全符合所有适用的英特尔® SDRAM 内存规范, 应使用支持串行状态检测 (SPD) 数据结构的 dimm 填充该主板。如果内存模块不支持 SPD, 您将在通电时看到屏幕上出现此效果的通知。BIOS 将尝试配置内存控制器以进行正常操作。

1.5V 是 DDR3 内存电压的推荐和默认设置。BIOS 设置程序中的其他内存电压设置只提供用于性能调整的目的。改变内存电压可能 (i) 降低系统稳定性和使用寿命的系统, 内存和处理器;(二) 导致处理器和其他系统组件出现故障;(三) 导致系统性能下降;(iv) 造成额外的热量或其它损害; 或(v) 影响系统数据完整性。

英特尔尚未测试, 并且不保证处理器的操作超出其规格。有关处理器保修的信息, 请参阅处理器保修信息

支持的内存配置

DIMM 容量配置密度前端/后端组织SDRAM 设备数量
512 MB单面1 Gbit64 M x 16/空4
1 GB单面1 Gbit128 M x 8/空8
1 GB单面2 Gbit128 M x 16/空4
2 GB双面1 Gbit128 m x 8/128 M x 816
2 GB单面2 Gbit128 M x 16/空8
4 GB双面2 Gbit256 m x 8/256 M x 816
4 GB单面4 Gbit512 M x 4/空8
8 GB双面4 Gbit512 m x 8/512 M x 816

已测试内存

下表列出了在开发过程中通过测试的部件。在整个产品生命周期中, 这些部件号可能无法随时可用。
 

模块供应商模块部件号大小模块速度 (MHz)
一个数据M3OHYMH3J4130G2C5Z2 GB1333
一个数据AX3U1600GB2G92 GB1600
APACER240P1 GB1333
elpidaEBJ10UE8BAFA-AG-E1 GB1066
elpidaEBJ10UE8BDF01 GB1333
elpidaEBJ21UE8BBF02 GB1066
elpidaEBJ21UE8BBF0-DJ-F2 GB1333
hynixHMT112U6BFR8C-G71 GB1066
hynixHMT112U6TFR8C-H91 GB1333
hynixHMT125U6BFR8C-G72 GB1066
hynixHMT125U6BFR8C-H92 GB1333
hynixHMT351U6AFR8C-H94 GB1333
金斯敦HP497156-C01-ELB1 GB1333
金斯敦KHX1866C9D3T1K3/3GX1 GB1866
金斯敦KHX1600C9D32 GB1600
金斯敦KHX2133C9AD3T1K22 GB2133
微米MT8JTF12864AY1 GB1066
微米MT8JTF12864AZ-1G4F11 GB1333
微米MT16JTF25664AY-1G1D12 GB1066
微米MT16JTF25664AY-1G4D12 GB1333
奇梦达IMSH1GU13A1F1C1 GB1066
奇梦达IMSH2GU13A1F1C2 GB1333
奇梦达IMSH51U03A1F1C512 MB1066
三星M378B22873DZ1-CH91 GB1333
三星M378B5673FH0-CH92 GB1333
三星M378B5273DH0-CH94 GB1333
三星M378B2873EH1-CF81 GB1066
三星M378B5673DZ1-CF82 GB1066