英特尔® 台式机主板 DQ77KB®系统内存
系统内存功能
主板有两个 SO-DIMM 插槽,并支持以下内存功能:
- 1.5V DDR3 SDRAM SO-DIMM 带金板触点,可选提高电压以支持更高性能的 DDR3 SDRAM SO-DIMM。
- 1.35V 低电压 DDR3 SO-DIMM(JEDEC 规格)。
- 两个独立的内存通道,支持交错模式。
- 具有以下限制的无缓冲、单面或双面 SO-DIMM:不支持双面 x16 SO-DIMM。
- 最大系统总内存 16 GB(使用 4 Gb 内存技术)。
- 建议的最小总系统内存:1 GB。
- 非 ECC SO-DIMM。
- 串行存在检测。
- DDR3 1600 MHz、DDR3 1333 MHz 和 DDR3 1066 MHz SDRAM SO-DIMM。第三代英特尔® 酷睿™处理器是唯一支持 DDR3 1600 MHz DIMM 的处理器家族。
- XMP 版本 1.3 性能配置式支持内存速度为 1600 MHz 或更低。
为了完全符合适用的英特尔® SDRAM 内存规格,主板需要支持串行存在检测 (SPD) 数据结构的 SO-DIMM。使用支持 SPD 的 SO-DIMM,BIOS 可以读取 SPD 数据,并编程芯片组以准确地配置内存设置以实现最佳性能。如果安装了非 SPD 内存,BIOS 会尝试正确配置内存设置,但性能和可靠性可能会受到影响。此外,SO-DIMM 可能无法在指定的频率下工作。
支持的内存配置
DIMM 容量 | 配置 | SDRAM 密度 | SDRAM 组织前端/背面 | SDRAM 设备数 |
1 GB | 单面 | 1 Gb | 128 M x 8 /空 | 8 |
2 GB | 双面 | 1 Gb | 128 M x 8 / 128 M x 8 | 16 |
2 GB | 单面 | 2 Gb | 256 M x 8 /空 | 8 |
4 GB | 双面 | 2 Gb | 256 M x 8 / 256 M x 8 | 16 |
4 GB | 单面 | 4 Gb | 512 M x 8 /空 | 8 |
8 GB | 双面 | 4 Gb | 512 M x 8 / 512 M x 8 | 16 |
测试内存
计算机内存测试实验室* (CMTL) 应内存制造商的要求®测试第三方内存与英特尔®主板的兼容性。
下表列出了在开发过程中通过测试的部件。这些部件号可能无法在整个产品生命周期中随时可用。
模块制造商 | 模块部件号 | 模块大小 | 模块速度 (MHz) |
关键 | CT25664BC1339。M8FMR | 2 GB | 1333 |
药剂 | M2N2G64CB8HC5N-CG | 2 GB | 1333 |
G.Skill | F3-12800CL9S-2GBSQ | 2 GB | 1600 |
海尼克斯 | HMT112S6TFR8C-H9 | 1 GB | 1333 |
海尼克斯 | HMT125S6TFR8C-H9 | 2 GB | 1333 |
金士顿 | KVR1333D3S9/1G | 1 GB | 1333 |
金士顿 | KHX1600C9S3P1K2/8G | 4 GB | 1600 |
爱国者 | PSD38G1600SK | 4 GB | 1600 |
三星 | M471B2873GB0-CK0 | 1 GB | 1600 |
三星 | M471B5773DH0-CK0 | 2 GB | 1600 |
三星 | M471B5673 年一次,FC8 | 2 GB | 1066 |
三星 | M471B1G73BH0-CK0 | 8 GB | 1600 |
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