英特尔全面的内存接口设计解决方案可化解当前高速内存接口面临的挑战。具体而言,英特尔推出的解决方案支持各种主流 SDRAM 和 SRAM 内存协议及封装内存技术,如高带宽内存 (HBM)。我们的内存接口解决方案包括高性能内存控制器选项、内存 PHY 选项和多端口前端选项。这些解决方案支持纠错码 (ECC)。
借助强化内存控制器,英特尔® Agilex™ 和英特尔® Stratix® 10 FPGA 和系统芯片各自可在 10 纳米和 14 纳米节点上为内存接口提供高性能。相比软内存控制器选项,这些硬内存控制器具有多种优势,包括:
- 缩短工程设计周期并加快上市速度,因为在强化逻辑中,时间是预先结束的
- 节省用户逻辑资源
- 进一步改进 fMAX、效率和延迟等方面性能
- 支持功耗更低的内存接口解决方案
英特尔® Arria® 10、Arria V 和 Cyclone® V FPGA 也支持硬内存接口。有关这些硬控制器和 PHY 的一般预期性能和利用率,请参见外部内存接口手册。
我们的解决方案可用作高级设备架构、英特尔® Quartus® Prime 软件中的可定制英特尔® FPGA 知识产权 (IP) 功能、动态生成的设计示例、演示主板和/或模拟模型。所有这些解决方案均附带一套丰富的技术文档。
主板偏斜参数工具 (XLS) 支持轻松、精确地计算主板偏斜参数,同时节省宝贵的设计时间。
EMIF Spec Estimator 可帮助预测内存接口的数量。