EV1320QI:2A PowerSoC 降压转换器,适用于 DDR 存储器VTT

DDR 存储器需要两种主要的供电电源:一路内核供电 (VDDQ),以及一路存储器匹配供电 (VTT),要求具有源出/吸收功能。VTT 匹配电源供电最常用的解决方案是使用低压差稳压器 (LDO)。LDO 具有较小的外形、低噪声和低成本特性,但是效率较低。产生的热量通常会导致对热敏感的高密度应用出现设计问题。其他的传统设计选择使用了分立的源出/吸收 DC-DC 开关稳压器解决方案,其效率要好很多,但代价是 PCB 引脚布局较大,解决方案的成本也很高。

Enpirion® EV1320QI EV1320QI 是理想的源出/吸收 DDR 匹配转换器,以低成本和微小外形布局实现了优异的性能。EV1320 的效率是常用的 VTT LDO 的两倍,成本与其相当甚至更低。VTT 转换器可承受 0.95V 至 1.8V 的输入电压。可以并行连接多个 EV1320QI 转换器,以支持更大的 DDR 存储器容量(大负载需求)。EV1320QI 符合 JEDEC 规范,特别是支持 DDR2/DDR3/QDR 和低功耗 DDR3/DDR4 VTT 应用的跟踪精度和 AC + DC 要求。

DDR 存储器匹配 (VTT) 电源选择

指标
线性调节器 Enpirion
EV1320
转换器
开关调节器
解决方案大小 (mm2) ~88 40 ~200 至 300
峰值效率 (%) 50 96 88 至 92
功率损耗 @ 2A (W) 1.8 0.08 0.2
相对功率损耗 @ 2A 24x 1 倍 ~2.6 倍
公开价格 @ 1KU =>1x 1 倍 >2 倍

特性

  • 高达 2A 的源出和吸收
  • 符合 JEDEC 规范,为 DDR2/3/4/QDR 和低功耗 DDR3/4 器件供电
  • 直接从 VDDQ 供电工作;低 VIN,从 0.95V 至 1.8V
  • 输出 VTT 精确跟踪 ½ VDDQ 电压
  • 40 mm2 小解决方案;扁平外形,低至 0.55 mm
  • 不需要外部电感
  • 超高的 96% 效率
  • 最多 4 个器件并行工作,达到 8A VTT 负载电流
  • 使能引脚,输出放电支持 S3 (暂停 RAM) 模式
  • 可设置软启动时间,软关断
  • 热过载、过流、短路和欠压保护
  • 完全符合 RoHS 和无铅制造线要求