基本要素

状态
Launched
发行日期
Q2'19
光刻类型
64-Layer QLC 3D NAND
使用条件
Server/Enterprise

性能规范

顺序读取(最高)
3200 MB/s
顺序写入(最高)
1600 MB/s
随机读取(100% 跨度)
580000 IOPS (4K Blocks)
随机写入(100% 跨度)
245 MB/s (16K Blocks)
延迟 —— 读取
135 µs (4K Blocks)
延迟 —— 写入
60 µs (4K Blocks)
电源 —— 活动
20W
电源 —— 闲置
5W

可靠性

震动 —— 操作
2.17 GRMS
震动 —— 不操作
3.13 GRMS
撞击(操作和不操作)
1000G (0.5ms)
操作温度范围
15°C to 70°C
运行温度(最高)
70 °C
运行温度(最低)
15 °C
耐用等级(终身写入)
5PBW(random), 24.6PBW(sequential)
故障间的平均时间(MTBF)
2 million hours
无法纠正的位错误速率(UBER)
1 sector per 10^17 bits read
保修期
5 yrs

封装规格

重量
215g
板型
E1.L
接口
PCIe 3.1 x4, NVMe

先进技术

增强的停电数据保护功能
硬件加密
AES 256 bit
高耐用性技术 (HET)
温度监测和记录
端到端数据保护
英特尔® 智能响应技术
Intel® Rapid Start Technology
英特尔® 远程安全擦除