基本要素

容量
240 GB
状态
Launched
发行日期
Q1'19
光刻类型
64-Layer TLC 3D NAND
使用条件
Server/Enterprise

性能规范

顺序读取(最高)
555 MB/s
顺序写入(最高)
275 MB/s
随机读取(100% 跨度)
87000 IOPS (4K Blocks)
随机写入(100% 跨度)
16000 IOPS (4K Blocks)
延迟 —— 读取
34 µs (4K Blocks)
延迟 —— 写入
36 µs (4K Blocks)
电源 —— 活动
2.2W
电源 —— 闲置
0.8W

可靠性

震动 —— 操作
2.17 GRMS
震动 —— 不操作
3.13 GRMS
撞击(操作和不操作)
1000 G/0.5 msec
操作温度范围
0°C to 70°C
运行温度(最高)
70 °C
运行温度(最低)
0 °C
耐用等级(终身写入)
0.9 PBW
故障间的平均时间(MTBF)
2 million hours
无法纠正的位错误速率(UBER)
1 sector per 10^17 bits read
保修期
5 yrs

补充信息

其他信息 URL

封装规格

板型
M.2 22 x 80mm
接口
SATA 3.0 6Gb/S

先进技术

增强的停电数据保护功能
硬件加密
AES 256 bit
高耐用性技术 (HET)
温度监测和记录
端到端数据保护
英特尔® 智能响应技术
Intel® Rapid Start Technology
英特尔® 远程安全擦除