英特尔® Stratix® 10 MX FPGA 可用作高性能计算 (HPC)、数据中心、网络功能虚拟化 (NFV) 和广播应用的基本多功能加速器。 这些设备兼具英特尔® Stratix® 10 FPGA 和 SoC 的可编程性和灵活性,且支持 3D 堆栈式高带宽内存 2 (HBM2)。英特尔® Hyperflex™ FPGA 架构支持高性能内核架构,可有效利用封装内存区块的带宽。DRAM 内存区块通过英特尔的嵌入式多芯片互连桥接 (EMIB) 技术物理连接至 FPGA。

特性与优势

更高的内存带宽

英特尔® Stratix® 10 Mx 设备的带宽比 DDR4 SDRAM 等目前的独立内存解决方案的带宽高 10 倍。传统 DDR4 DIMM 提供约 21 GBps 带宽,而 1 个 HBM2 块就可提供高达 256 Gbps 带宽,英特尔® Stratix® 10 MX 设备在一个封装中集成了兩个 HBM2 器件,最大内存带宽高达 512 GBps。

更低的系统功耗和更优的每瓦性能

英特尔® Stratix® 10 MX 设备在内核架构旁集成了 HBM Gen2 内存。这种安排显著缩短了内核架构和内存之间的互联,从而降低了过去驱动长 PCB 走线所需的功耗。走线未进行匹配,容性负载较小,降低了 I/O 电流。最终结果是更低的系统功耗和更优的每瓦性能。

外形更小,使用简单

英特尔® Stratix® 10 MX 封装集成了内存组件,从而显著降低了 PCB 设计的复杂性。这种实施方法缩小了外形封装,支持简单使用模型,造就了一款高度灵活、易于使用、可扩展的解决方案。嵌入式 SRAM (eSRAM) 就是一个很好的例子,相比独立 QDR IV-1066,它的带宽更高:总(读和写)带宽高 11.25 倍,而总功耗降低了 2.6 倍,因此进一步完善了已有的模块 RAM。增强的嵌入式 SRAM 非常适合需要最高等级随机会话速率 (RTR) 的应用,可取代或减少对独立 QDR 的需求,且 EMIF I/O 占用为零。

英特尔® Enpirion® 电源解决方案

英特尔® Enpirion® 电源解决方案是针对英特尔® FPGA、CPLD 和 SoC 设计和验证的高频 DC-DC 降压电源转换器。这些功能强大且易于使用的电源模块集成了构建电源所需的几乎所有组件,可节省电路板空间并简化设计流程。

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应用

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