英特尔® Stratix® 10 MX FPGA 可用作高性能计算 (HPC)、数据中心、网络功能虚拟化 (NFV) 和广播应用的基本多功能加速器。 这些设备兼具英特尔® Stratix® 10 FPGA 和 SoC 的可编程性和灵活性,且支持 3D 堆栈式高带宽内存 2 (HBM2)。英特尔® Hyperflex™ FPGA 架构支持高性能内核架构,可有效利用封装内存区块的带宽。DRAM 内存区块通过英特尔的嵌入式多芯片互连桥接 (EMIB) 技术物理连接至 FPGA。

系列变体

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优势

扩展内存层次结构

更高的内存带宽

 

英特尔® Stratix® 10 Mx 设备的带宽比 DDR4 SDRAM 等目前的独立内存解决方案的带宽高 10 倍。传统的 DDR4 DIMM 带宽大约为 21 Gb/秒,而 1 个 HBM2 区块高达 256 GB/秒。

 

英特尔® Stratix® 10 MX 设备在一个封装中集成了兩台 HBM2 设备,最大内存带宽高达 512 GBps。

更低的系统功耗和更优的每瓦性能

英特尔® Stratix® 10 MX 设备在内核架构旁集成了 HBM Gen2 内存。这种安排显著缩短了内核架构和内存之间的互联,从而降低了过去驱动长 PCB 走线所需的功耗。走线未进行匹配,容性负载较小,降低了 I/O 电流。最终结果是更低的系统功耗和更优的每瓦性能。

外形更小,使用简单

由于英特尔® Stratix® 10 MX 封装集成了内存组件,因此,PCB 设计降低了布线复杂度。这种实施方法减小了外形封装,支持简单使用模型。结果是非常灵活的可扩展解决方案,而且使用非常方便。

增强嵌入式 SRAM

英特尔® Stratix® 10 MX 设备通过嵌入式 SRAM (eSRAM) 提供快速通路低延时片上内存。eSRAM 进一步完善了已有的模块 RAM。eSRAM 的特性包括:

  • 更高的带宽:总(读和写)带宽比独立 QDR IV-1066 高 11.25 倍1
  • 更低的功耗:总功耗比独立 QDR IV (瓦/Gbps)低 2.6 倍1
  • 使用更方便:直接架构接口,不需要控制器,减少了对 M20K 模块的占用。
  • 降低了电路板成本和复杂度: 
    • 减少了 PCB 拥塞和板层数量
    • 有助于替换或者减少对独立 QDR 的需求
    • 零 EMIF I/O 占用
  • 非常适合需要最高等级随机会话速率 (RTR) 的应用

特性

数据通道速率高达 56 Gbps

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IEEE 754 兼容单精度浮点数字信号处理 (DSP) 吞吐量达到每秒 10 万亿次浮点运算 (TFLOPS)

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英特尔® Stratix® 10 MX 设备在内核架构旁集成了 HBM Gen2 内存。

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与前一代高端 FPGA 相比,时钟频率提高了 2 倍,功耗降低了高达 70%。1

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应用

文档和支持


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产品和性能信息

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在特定系统中对组件性能进行特定测试。硬件、软件或配置的任何差异都可能影响实际性能。当您考虑采购时,请查阅其他信息来源评估性能。如欲了解有关性能及性能指标评测结果的更完整信息,请访问 http://www.intel.cn/content/www/cn/zh/benchmarks/benchmark.html。