英特尔® eASIC™ N3X 设备采用 28 纳米工艺制造，英特尔® eASIC™ N2XT 设备采用 45 纳米工艺制造。英特尔® eASIC™ 设备支持快速部署以逻辑、DSP 或 IO 为主导的定制设备。
| N2XLT190（45 纳米） | N3XT500（28 纳米） |
|---|---|---|
eCell | 184,320 | 503,424 |
eDFF | 122,880 | 346,104 |
全加器 |
| 503,424 |
bRAM (KB) | 5,161 | 15,409 |
bRAM 内存块 | 140 | 1,672 |
PLL | 8 | 16 |
DLL | 22 | 42 |
MGIO-T | 8 (5.0Gbps) | 18 (12.5Gbps) |
| ||
CS160（7x11 毫米） |
| 4/30 |
| FC484（23 毫米） | 2/484 | 8/316 |
FC672（27 毫米） | 8/372 | 8/316 |
FC780（29 毫米） |
| 14/336 |
FC896（31 毫米） |
| 18/336 |
FC1152（35 毫米） |
| 18/392 |