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技术规格

基本要素

容量
150 GB
状态
Launched
发行日期
Q3'16
光刻类型
16nm 3D NAND

性能

顺序读取(最高)
180 MB/s
顺序写入(最高)
165 MB/s
随机读取(8GB 跨度)(最高)
43000 IOPS
随机写入(8GB 跨度)(最高)
31000 IOPS
延迟 —— 读取
30 µs
延迟 —— 写入
35 µs
电源 —— 活动
2.2W
电源 —— 闲置
530mW

可靠性

震动 —— 操作
2.17 GRMS (5-700 Hz)
震动 —— 不操作
3.13 GRMS (5-800 Hz)
撞击(操作和不操作)
1000G/0.5ms
操作温度范围
0°C to 70°C
耐用等级(终身写入)
412 TBW
故障间的平均时间(MTBF)
2 Million hours
无法纠正的位错误速率(UBER)
1 sector per 10^17 bits read
保修期
5 yrs

封装规格

重量
60 grams +/- 2 grams
板型
2.5" 7mm
接口
SATA 3.0 6Gb/S

先进技术

增强的停电数据保护功能
硬件加密
AES 256 bit
高耐用技术
温度监测和记录
端到端数据保护
英特尔® 智能响应技术
英特尔® 远程安全擦除
英特尔® 快速启动技术

用户评论

产品和性能信息

此特性并非在所有计算系统上均可用。请咨询系统供应商,以了解您的系统是否有此特性,或参考系统规格(主板、处理器、芯片、电源、硬盘、图形控制器、内存、BIOS、驱动程序、虚拟机监视器 - VMM、平台软件和/或操作系统)以了解特性兼容性。此特性的功能、性能和其它优势可能根据系统配置的不同而不同。