受到云启发。性能优化。

在各种范围的负载上,都能满足当今数据中心在性能、可管理性以及 I/O 方面的要求。

英特尔® 固态硬盘 D7-P5510 采用 144 层、TLC 和英特尔® 3D NAND 技术构建,为全闪存阵列提供优化的性能和容量,旨在提高 IT 效率和数据安全性。英特尔固态硬盘 D7-P5510 包括一款英特尔 PCIe 4.0 控制器和固件,为企业和云环境带来了低延迟、增强的管理能力、可扩展性和关键的全新 NVMe 功能。

这款固态硬盘提供 U.2 15 毫米的外形规格,容量为 3.84 TB 和 7.68 TB,预期寿命内每日整盘写入次数 (DWPD) 至高可达一次。

降低延迟,提高性能

英特尔固态硬盘 D7-P5510 具有可预测的高性能速度,并且会大大加速全闪存阵列。与上一代英特尔固态硬盘相比,经过性能优化的 D7-P5510 带来了高达 2 倍的序列读取性能提升,1降低 50% 的延迟2,并提高 50% 的混合工作负载 IOP(70% 读读,30% 写入)3

在使用数据集管理命令的情况下,新的 TRIM 架构进一步提高了实际工作负载的性能。经过优化的 TRIM 架构现在作为后台进程运行,而不会干扰工作负载,从而提高了并发 TRIM 期间的性能和 QoS。通过减少写入放大功能,可以改善 TRIM 流程,从而帮助驱动程序实现其耐用性目标。

针对驱动器性能、IT 效率、数据安全性和可管理性的固件增强功能

英特尔固态硬盘 D7-P5510 包括了大量固件增强,专为在以数据为中心的世界中提高 IT 效率和数据安全性而设计。

动态多命名空间可以增强运行时间配置和存储管理。使用单个较小的命名空间来超量提供,提高耐用性和随机写入性能。4

  • 扩展的 LBA 格式支持为托管软件提供了灵活性,可以通过有效数据传输元数据并保护信息。英特尔固态硬盘 D7-P5510 支持以下扇区大小的 VSS:512/520/4096/4104/4160B。
  • Scatter Gather List (SGL) 通过消除主机数据对齐的需求来提高性能。
  • 增强的 SMART 监控功能,可使用带内机制和带外访问功能报告驱动器的运行状况,而不会中断 I/O 数据流。
  • 通过确保设备的顺利运行,设备自我测试可以提高客户体验。主机系统可以请求存储设备(固态硬盘)进行测试,确保其正确运行,包括 SMART 检查、易失性内存备份、NVM 完整性、驱动器寿命等检查。
  • Telemetry 实现了对大范围存储数据的访问,并且包括智能错误追踪和日志记录。这提高了发现和缓解问题的可靠性,并支持加速的认证周期,所有这些都可以提高 IT 效率。
  • 支持 TCG Opal 2.0、可配置命名空间锁定、清洁和格式化 NVM 等额外的安全功能。
  • 具有内置自检功能的 Power-Loss imminent (PLI)​​​ 保护方案可在系统突然断电时防止数据丢失。结合业内领先的端到端数据路径保护方案,5 PLI 功能还使部署到数据恢复中心(在这里系统级故障造成的数据损坏会得到解决)的工作变得容易。

NAND 技术行业领先者

英特尔提供的 144 层 3D NAND 技术可提供行业领先的磁录密度 6 和数据保持,7 使企业客户能够自信地扩展存储阵列以满足其不断增长的需求。迅速采用软件定义和超聚合的基础架构,对效率最大化、恢复现有硬件活力以及提高服务器敏捷性的要求越来越高,而同时又保持了操作的可靠性。

顶级企业服务器制造商已经做出响应,通过公开接受基于 PCIe/NVMee 的固态硬盘,提供可扩展的性能、低延迟和持续创新。满足日益增长的高强度 I/O 工作负载(包括人工智能和分析)的需求,已成为所有企业战略的核心要素。

功能概览

型号 英特尔® 固态硬盘 D7-P5510
容量和外形 U.2 15 毫米:3.84 TB,7.68 TB
接口 PCIe 4.0 x4,NVMe 1.3c
媒体 英特尔® 3D NAND 技术,144 层 TLC
性能 128K 序列 R/W,高达 7,000/4,194 MB/秒
随机 4 KB R/W,高达 930K/190K IOPS
耐用性 1 DWPD(高达 14 PBW)
可靠性

UBER:每 1017 比特读取 1 个区块

MTBF:200 万小时

功率

最高平均有效写入:18W

空闲:5W

保修 5 年有限保修

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英特尔® 固态硬盘


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公告和免责声明 8

脚注 1-3 配置:最佳和系统配置:主板:英特尔® Server Board S2600WFT,版本:R2208WFTZS,BIOS: SE5C620.86B.00.01.0014.070920180847,平台架构:x86_64,CPU:英特尔® 至强® Gold 6140 CPU @ 2.30 GHz, CPU 插槽:2,内存容量:32 G,内存型号:DDR4,操作系统版本:centos-release-7-5,构建号:1804,内核:4.14.74,NVMe 驱动:Inbox, Fio 版本:3.5, 使用了 Microsemi 的 PCIe 4.0 开关。P5510、P5316 分别在 JCV10100 和 ACV10005 固件上进行了测试。

产品和性能信息

1

顺序读取性能提升高达 2 倍 - 此宣传用语的依据是英特尔® 固态硬盘 D7-P5510 128KB 的顺序读取速度 (7.0GB/s) 与英特尔® 数据中心级固态硬盘 P4510 128KB 的顺序读取速度 (3.20GB/s) 的对比结果。测试日期:2020 年 10 月。

2

时延降低多达 50% - 此宣传用语的依据是 6 秒(以前需要 9 秒)处理 4KB 大小的 75/25 随机工作负载。与英特尔® 数据中心级固态硬盘 P4510 (2539us) 相比,英特尔® 固态硬盘 D7-5510 (1100us) 的时延降低了 50%。测试日期:2020 年 10 月。

3

混合工作负载 IOP 至多提升 50% - 该声明基于英特尔® 固态硬盘 D7-P5510,7.684TB 4KB 混合 70/30 (400K) 与英特尔® 固态硬盘 DC P4510,8TB (226K) 的比较。测试日期:2020 年 10 月。

4

 以下文章介绍如何为驱动器提供预留空间,从而缩小单一命名空间:https://www.intel.com/content/dam/www/public/us/en/documents/white-papers/over-provisioning-nand-based-ssds-better-endurance-whitepaper.pdf

5

来源 - 洛斯阿拉莫斯。驱动器测试地点:洛斯阿拉莫斯国家实验室中子科学中心,https://lansce.lanl.gov/facilities/wnr/index.php。10^6 中子加速系数。在以下驱动器上进行测试:单端口固态硬盘、英特尔® 数据中心级固态硬盘 S3520、英特尔® 数据中心级固态硬盘 P3520、英特尔® 数据中心级固态硬盘 P3510、英特尔® 数据中心级固态硬盘 P4500、英特尔® 数据中心级固态硬盘 S4500、英特尔® 数据中心级固态硬盘 P4800X、英特尔® 固态硬盘 D7-P55XX、英特尔® 固态硬盘 D7-P56XX、Samsung PM953、Samsung PM1725、Samsung PM961、Samsung PM863、Samsung PM963、Samsung 860DCT、Samsung PM883、Samsung PM983、Micron 7100、Micron 510DC、Micron 9100、Micron 5100、Micron 5200、HGST SN100、Seagate 1200.2、SanDisk CS ECO、Toshiba XGS、Toshiba Z6000。没有无记载数据损坏 — 在英特尔® 单端口驱动器上测得,累计测量时间超过 5 百万小时。中子辐射用来确定无记载数据损坏率,并衡量整体端对端数据保护效率。固态硬盘控制器的数据损坏原因包括电离辐射和 SRAM 不稳定性。驱动器“挂起”后,通过对比预期数据和驱动器返回的实际数据,在运行时和重启后测量无记载错误。年度数据损坏率是用加速测试的比率除以波束的加速度得出的(参见 JEDEC 标准 JESD89B/C)。

6

来源:ISSCC 2015,J.Im; ISSCC 2017 R Yamashita; ISSCC 2017 C Kim; ISSCC 2018; H.Maejima; ISSCC 2019 C.Siau.

7

对使用浮栅和电荷撷取闪存技术的固态硬盘组件进行了测量。使用的测试平台是 Teradyne Magnum 2 Memory 测试系统,使用客户命令量化了使用随机模式和边界的编程。数据测量时间为 2019 年 8 月。

8

性能因用途、配置和其他因素而异。请访问 www.Intel.cn/PerformanceIndex 了解更多信息。

性能结果基于截至配置中所示日期的测试,可能无法反映所有已发布的更新。有关配置详细信息,请参见备用材料。没有任何产品或组件能保证绝对安全。

您的成本和结果可能会有所不同。

英特尔不对第三方数据承担任何控制或审计的责任。您应参考其他信息来源以评估准确性。

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