1.1.1. 信号
| 信号 | 大小 | 说明 |
|---|---|---|
| READ/WRITE# | 1 位 | 来自微处理器、用于区分写入操作和读取操作的输入。
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| RESET | 1 位 | 来自微处理器、用于将 NAND 闪存器件复位的输入。 |
| CONTROL[2:0] | 3 位 | 3 位控制总线。微处理器将 3 位信息发送到 NAND 闪存接口（所支持的 Altera 器件）进行适当解码。 相应的接口信号是否启用取决于 EN/DB# 输入的条件。 |
| EN/DB# | 1 位 | 与用来执行所需操作的控制位结合使用的控制位。
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| I/O[7:0] | 8 位 | 用于将数据/命令/地址发送到它们各自在 NAND 闪存器件中的寄存器的双向 8 位多路复用总线。 从 NAND 闪存器件读取的数据也可通过这些线路获得。 |
| RY/BY# | 1 位 | 来自 NAND 闪存器件、用于指示器件状态的输出。
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| CLE | 1 位 | 处于有效高电平时启用命令锁存。 用于选择器件的命令寄存器或数据寄存器。 当处于高电平时，I/O 线路上的命令会被锁存到 WE# 上升沿的命令寄存器中。
注： 数据寄存器的选择方式是将 CLE 和 ALE 信号设为低电平。 I/O 线路上的数据会被锁存到 WE# 上升沿的数据寄存器中。
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| ALE | 1 位 | 处于有效高电平时启用地址锁存。 用于选择器件的地址寄存器或数据寄存器。 当处于高电平时，I/O 线路上的数据会被锁存到 WE# 上升沿的地址寄存器中。 信号处于低电平时会导致设备复位。 对于整个地址序列，此信号都必须保持高电平。
注： 数据寄存器的选择方式是将 CLE 和 ALE 信号设为低电平。 I/O 线路上的数据会被锁存到 WE# 上升沿的数据寄存器中。
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| CE# | 1 位 | 处于有效低电平时启用芯片。 用于在器件的活动模式与待机模式间进行选择。
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| WE# | 1 位 | 处于有效低电平时启用写入。 用于将命令/地址/数据发送到它们各自在器件中的寄存器。 I/O 线路上的信息会被锁存到 WE# 上升沿的相应寄存器中。 |
| WP# | 1 位 | 处于有效低电平时保护写入。
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| RE# | 1 位 | 处于有效低电平时启用读取。 用于将数据/状态读入/读出器件。 信息可通过 RE# 上升沿的 I/O 线路获得。 |
| SE# | 1 位 | 处于有效低电平时启用备用区。 仅在使用 AMD 器件时才需要用到。 对于 Samsung 器件而言是不需要的。
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