1.1.2. 操作
所执行的每项操作各以不同格式编码，并通过 3 位宽控制总线发出。
| 控制信号 [2:0] | EN/DB# | 执行的操作 |
|---|---|---|
| 000 | — | 不论 EN/DB# 上的条件如何，都会启用命令锁存 (CLE = 1)。 |
| 001 | — | 根据 I/O 线路上发送的命令读取数据/状态/器件。 |
| 010 | — | 根据 I/O 线路上发送的命令写入数据/命令/地址。 |
| 011 | 1 0 |
ALE 被置位（高电平）。 ALE 处于禁用状态（低电平）。 |
| 100 | 1 0 |
SE# 被置位（低电平）。 SE# 处于禁用状态（高电平）。
注： 此操作仅适用于 AMD 闪存器件。 此命令根据 EN/DB# 线路的条件启用/禁用每页上的 16 字节备用区。
|
| 101 | 1 0 |
WP# 被置位（低电平）。 WP# 处于禁用状态（高电平）。 |
| 110 | 1 0 |
CE# 被置位（低电平）。 CE# 处于禁用状态（高电平）。 |
| 111 | 1 0 |
闪存器件的状态通过 RY/BY# 线路发送。 RY/BY# 线路不反映闪存器件的状态。 |
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