AN 500: 采用 Altera MAX 系列实现 NAND 闪存接口

ID 683829
日期 9/22/2014
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1.2. 实现

可使用 MAX II、MAX V 和 MAX 10 器件实现这些设计。 所提供的设计源代码分别针对 MAX II (EPM240) 和 MAX 10 (10M08)。 这些设计源代码已进行编译,可以直接编程到 MAX 器件。
表 5.  NAND 闪存接口设计支持的闪存器件下表列出了 NAND 闪存接口设计支持的闪存器件。
名称 说明
AMD NAND 闪存器件 (Am30LV0064D)
  • 一款 64 Mb 大规模存储器件,适合数据为顺序型且需要快速写入性能的高密度应用领域。
  • 初始页的读取访问用时为 7 μs,后续字节的访问用时不到 50 ns。
Samsung NAND 闪存器件 (K9F4008W0A)
  • 一款 512 K × 8 位存储器件,适合不需要高性能水平或较高密度闪存容量的应用领域。
  • 支持 32 字节帧读取操作,执行这种读取操作时随机访问用时为 15 μs,顺序访问用时为 120 ns。