AN 500: 采用 Altera MAX 系列实现 NAND 闪存接口

ID 683829
日期 9/22/2014
Public

1.1.3. AMD 和 Samsung NAND 闪存器件的命令

表 3.  AMD NAND 闪存器件 (Am30LV0064D) 的命令下表列出了 AMD NAND 闪存器件 (Am30LV0064D) 支持的各种命令。
操作 周期 1 周期 2 忙时有效 备注
读取数据 00h/01h
无间隙读取 02h 以专用高性能模式读出数据,以便允许从多页读取,同时使第一页的传输仅有 7 μs 的延迟。

超集命令仅受 AMD NAND 闪存器件支持。

读取备用区 50h
读取 ID 90h
读取状态 70h
输入数据 80h 将数据编程到闪存阵列中是一个两步过程,需要执行两个单独的命令序列。 要编程的数据必须使用输入数据命令序列加载到数据寄存器中。 数据加载后,将执行页面编程命令来将信息从数据寄存器传送到闪存阵列。
页面编程 10h 将数据编程到闪存阵列中是一个两步过程,需要执行两个单独的命令序列。 要编程的数据必须使用输入数据命令序列加载到数据寄存器中。 数据加载后,将执行页面编程命令来将信息从数据寄存器传送到闪存阵列。
数据块擦除 60h D0h 一个包含两个命令的过程。 在第一个命令周期中,会向器件发出要擦除的数据块的地址。 在第二个命令周期中,闪存器件在遇到 WE# 信号的上升沿时开始执行擦除操作。
暂停擦除 B0h 允许执行时间紧急任务。 这些任务只能在当前未在擦除的数据块上执行。

超集命令仅受 AMD NAND 闪存器件支持。

继续擦除 D0h 允许执行时间紧急任务。 这些任务只能在当前未在擦除的数据块上执行。

超集命令仅受 AMD NAND 闪存器件支持。

复位 FFh

闪存器件的编程按页(512 个字节 + 16 字节的备用区)进行,而擦除操作则按数据块(8 K 字节 + 256 个字节)进行。

表 4.  Samsung NAND 闪存器件 (K9F4008W0A) 的命令下表列出了 Samsung NAND 闪存器件 (K9F4008W0A) 支持的各种命令。
操作 周期 1 周期 2 忙时有效 备注
读取数据 00h
读取 ID 90h
读取状态 70h
帧编程 80h 10h 帧编程是一个包含两个命令的过程: 加载需要编程的数据时从帧编程设置命令 (80h) 开始。 由帧编程确认命令 (10h) 启动编程过程。
数据块擦除 60h D0h 数据块擦除也是一个包含两个命令的过程: 要擦除的数据块的地址使用擦除设置命令 (60h) 进行加载。 当加载擦除确认命令 (D0h) 时,闪存器件会启动内部擦除过程。
复位 FFh

闪存器件的编程按帧(32 个字节)进行,而擦除则按数据块(4 K 字节)进行。 这款器件还支持部分帧编程。