1.1.3. AMD 和 Samsung NAND 闪存器件的命令
操作 | 周期 1 | 周期 2 | 忙时有效 | 备注 |
---|---|---|---|---|
读取数据 | 00h/01h | — | 否 | — |
无间隙读取 | 02h | — | 否 | 以专用高性能模式读出数据,以便允许从多页读取,同时使第一页的传输仅有 7 μs 的延迟。 超集命令仅受 AMD NAND 闪存器件支持。 |
读取备用区 | 50h | — | 否 | — |
读取 ID | 90h | — | 否 | — |
读取状态 | 70h | — | 是 | — |
输入数据 | 80h | — | 否 | 将数据编程到闪存阵列中是一个两步过程,需要执行两个单独的命令序列。 要编程的数据必须使用输入数据命令序列加载到数据寄存器中。 数据加载后,将执行页面编程命令来将信息从数据寄存器传送到闪存阵列。 |
页面编程 | 10h | — | 否 | 将数据编程到闪存阵列中是一个两步过程,需要执行两个单独的命令序列。 要编程的数据必须使用输入数据命令序列加载到数据寄存器中。 数据加载后,将执行页面编程命令来将信息从数据寄存器传送到闪存阵列。 |
数据块擦除 | 60h | D0h | 否 | 一个包含两个命令的过程。 在第一个命令周期中,会向器件发出要擦除的数据块的地址。 在第二个命令周期中,闪存器件在遇到 WE# 信号的上升沿时开始执行擦除操作。 |
暂停擦除 | B0h | — | 是 | 允许执行时间紧急任务。 这些任务只能在当前未在擦除的数据块上执行。 超集命令仅受 AMD NAND 闪存器件支持。 |
继续擦除 | D0h | — | 否 | 允许执行时间紧急任务。 这些任务只能在当前未在擦除的数据块上执行。 超集命令仅受 AMD NAND 闪存器件支持。 |
复位 | FFh | — | 是 | — |
闪存器件的编程按页(512 个字节 + 16 字节的备用区)进行,而擦除操作则按数据块(8 K 字节 + 256 个字节)进行。
操作 | 周期 1 | 周期 2 | 忙时有效 | 备注 |
---|---|---|---|---|
读取数据 | 00h | — | 否 | — |
读取 ID | 90h | — | 否 | — |
读取状态 | 70h | — | 是 | — |
帧编程 | 80h | 10h | 否 | 帧编程是一个包含两个命令的过程: 加载需要编程的数据时从帧编程设置命令 (80h) 开始。 由帧编程确认命令 (10h) 启动编程过程。 |
数据块擦除 | 60h | D0h | 否 | 数据块擦除也是一个包含两个命令的过程: 要擦除的数据块的地址使用擦除设置命令 (60h) 进行加载。 当加载擦除确认命令 (D0h) 时,闪存器件会启动内部擦除过程。 |
复位 | FFh | — | 是 | — |
闪存器件的编程按帧(32 个字节)进行,而擦除则按数据块(4 K 字节)进行。 这款器件还支持部分帧编程。